第三代半导体材料碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）结构相似。氮化镓的一种制备方法是：2Ga+2NH3⇌2GaN+3H2。回答下列问题：
（1）碳化硅中，Si原子的价电子排布图是 
，C原子的杂化轨道类型是 sp3sp3。
（2）氮化镓中，N原子周围的四个N-Ga化学键中有一个与其它三个化学键有所不同，这个化学键称为 配位键配位键，其中的配体原子是 氮原子氮原子。
（3）C、N、Si的第一电离能的大小顺序是 N＞C＞SiN＞C＞Si。
（4）GaN、NH3、H2三种物质的熔点由高到低的顺序是 GaN＞NH3＞H2GaN＞NH3＞H2，原因是 GaN为原子晶体其熔点最高，NH3、H2均为分子晶体，由于NH3中含有氢键且相对分子质量较大，所以NH3熔点比H2高GaN为原子晶体其熔点最高，NH3、H2均为分子晶体，由于NH3中含有氢键且相对分子质量较大，所以NH3熔点比H2高。
（5）碳元素可以形成碳酸盐和碳酸氢盐，其中CO2-3的空间结构是 平面三角形平面三角形。HCO-3在溶液中通过氢键形成双聚或多聚离子（例如：
），影响碳酸氢钠的溶解度。在相同条件下，碳酸氢钠溶解度比碳酸钠溶解度小的原因是 HCO-3形成了双聚或多聚离子，碳酸氢钠溶液中由于HCO-3的双聚或多聚减少了HCO-3与水分子间形成的氢键数目，而碳酸钠溶液中的CO2-3只能与水分子间形成氢键，氢键数目更多HCO-3形成了双聚或多聚离子，碳酸氢钠溶液中由于HCO-3的双聚或多聚减少了HCO-3与水分子间形成的氢键数目，而碳酸钠溶液中的CO2-3只能与水分子间形成氢键，氢键数目更多。
（6）氮化镓晶体中有一种亚稳定的结构，属于立方晶体，其结构如图所示，该结构中可以理解成Ga做面心立方最密堆积，N填充在 Ga形成的正四面体Ga形成的正四面体空隙中，填充率是 50%50%。
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【答案】；sp3；配位键；氮原子；N＞C＞Si；GaN＞NH3＞H2；GaN为原子晶体其熔点最高，NH3、H2均为分子晶体，由于NH3中含有氢键且相对分子质量较大，所以NH3熔点比H2高；平面三角形；形成了双聚或多聚离子，碳酸氢钠溶液中由于的双聚或多聚减少了与水分子间形成的氢键数目，而碳酸钠溶液中的只能与水分子间形成氢键，氢键数目更多；Ga形成的正四面体；50%
；sp3；配位键；氮原子；N＞C＞Si；GaN＞NH3＞H2；GaN为原子晶体其熔点最高，NH3、H2均为分子晶体，由于NH3中含有氢键且相对分子质量较大，所以NH3熔点比H2高；平面三角形；HCO
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【解答】
【点评】
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发布：2024/4/20 14:35:0组卷：20引用：2难度：0.4
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1．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序数依次增大，其相关信息如下：
①A的周期序数等于其主族序数；
②B、D原子的L层中都有两个未成对电子；
③E元素原子最外层电子排布式为（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四个能层，K、L、M全充满，最外层只有一个电子．
试回答下列问题：
（1）基态E原子中，电子占据的最高能层符号为，F的价层电子排布式为．
（2）B、C、D的电负性由大到小的顺序为（用元素符号填写），C与A形成的分子CA3的VSEPR模型为．
（3）B和D分别与A形成的化合物的稳定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的单质为电极，组成如图1所示的装置，E极的电极反应式为．
（5）向盛有F的硫酸盐FSO4的试管里逐滴加入氨水，首先出现蓝色沉淀，继续滴加氨水，蓝色沉淀溶解，得到深蓝色溶液，再向深蓝色透明溶液中加入乙醇，析出深蓝色晶体．蓝色沉淀溶解的离子方程式为．
（6）F的晶胞结构（面心立方）如图2所示：已知两个最近的F的距离为acm,F的密度为g/cm3（阿伏加德罗常数用NA表示，F的相对原子质量用M表示）发布：2025/1/18 8:0:1组卷：14引用：2难度：0.5 -
2．铁及其化合物在生产生活及科学研究方面应用非常广泛。
（1）基态Fe原子的价层电子的电子排布图为；其最外层电子的电子云形状为。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2•6H2O俗称摩尔盐
①NH4+电子式为。
②N、O两元素的第一电离能由大到小的顺序为（用元素符号表示）
③SO42-中S原子的杂化方式为，VSEPR模型名称为。
（3）K3[Fe（CN）6]晶体中中心原子的配位数为；晶体的配位体为（用化学符号表示）
（4）FeS2晶体的晶胞如图（c）所示。晶胞边长为a nm、FeS2相对式量为M，阿伏加德罗常数的值为NA，其晶体密度的计算表达式为g•cm-3发布：2025/1/5 8:0:1组卷：7引用：1难度：0.7 -
3．碳及其化合物有着重要用途。回答下列问题：
（1）基态碳原子的价层电子排布图为。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的杂化方式有、，所含σ键数目和π键数目之比为。
（3）甲烷、水、氨气中C、O、N原子均采用sp3杂化方式，VSEPR模型均为正四面体构型，比较三者键角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室温下为紫红色固体，不溶于水，能溶于四氯化碳等非极性溶剂。据此判断C60的晶体类型是。
（5）C60晶胞结构如图，C60分子处于顶点和面心。已知：C60晶胞棱长为14.20Å （1Å=10-8cm），则C60的晶体密度为g/cm3。
C60体中存在正四面体空隙（例如1、3、6、7四点构成）和正八面体空隙（例如3、6、7、8、9、12六点构成），则平均每一个C60晶胞中有个正四面体空隙和4个正八面体空隙。当碱金属元素全部占满所有空隙后，这类C60掺杂物才具有超导性。若用金属铯（Cs）填满所有空隙，距离最近的两个Cs原子间的距离为Å。发布：2025/1/5 8:0:1组卷：53引用：2难度：0.4
