GaN是制造芯片的新型半导体材料。回答下列问题：
（1）镓为第四周期的元素，基态Ga原子的核外电子排布式为

[Ar]3d¹⁰4s²4p¹

[Ar]3d¹⁰4s²4p¹

。
（2）N、Si、P的电负性由强到弱顺序为

N＞P＞Si

N＞P＞Si

（元素符号表示，下同）；C、N、O的第一电离能由大到小顺序为

N＞O＞C

N＞O＞C

；N₂O的空间构型为

直线型

直线型

。
（3）芯片制造中用到光刻胶，可由不饱和物质甲基丙烯酸甲酯（）、马来酸酐（）等通过加聚反应制得。甲基丙烯酸甲酯中碳原子的轨道杂化类型为

sp²、sp³

sp²、sp³

，马来酸酐分子中，σ键和π键个数比为

3：1

3：1

。
（4）GaN、GaP、GaAs的结构类似于金刚石，熔点如表所示：

物质	GaN	GaP	GaAs
熔点/℃	1700	1480	1238

请分析三者熔点变化的原因

GaN、GaP、GaAs均为原子晶体，原子半径：N＜P＜As,与Ca原子形成的共价键键长逐渐增大，所以熔点逐渐下降

GaN、GaP、GaAs均为原子晶体，原子半径：N＜P＜As,与Ca原子形成的共价键键长逐渐增大，所以熔点逐渐下降

。
（5）GaAs的晶胞结构如图甲。将Mn掺杂到GaAs的晶体中得到稀磁性半导体材料（图乙）。图甲、图乙晶体结构不变。

①图甲中，Ga原子的配位数为

4

4

，若GaAs晶体密度为ρ g•cm³，相对分子质量为M，N_A表示阿伏加德罗常数的数值，则晶胞中距离最近的两个Ga原子间距离为

2

2

×

3

4

M

ρ

N

A

×

1

0

7

2

2

×

3

4

M

ρ

N

A

×

1

0

7

nm。
②图乙中a、b的坐标分别为（0，0，0）和（1，1，0），则c点Mn的原子坐标为

（

0

，

1

2

，

1

2

）

（

0

，

1

2

，

1

2

）

。掺杂Mn之后，晶体中Mn、Ga、As的原子个数比为

5：27：32

5：27：32

。