半导体芯片的发明促进了人类信息技术的发展,单晶硅、砷化镓(GaAs)、碳化硅等是制作半导体芯片的关键材料,也是我国优先发展的新材料。请回答以下问题:
(1)上述材料所涉及的四种元素中电负性最小的元素是 GaGa(填元素符号),基态砷原子价层电子的轨道表达式为 
,和As位于同一周期,且未成对电子数也相同的元素还有 22种。
(2)SiCl4是生产高纯硅的前驱体,沸点57.6℃,可混溶于苯、氯仿等有机溶剂,则SiCl4晶体类型为 分子晶体分子晶体,熔化时克服的作用力是 分子间作用力分子间作用力。其中Si采取的杂化类型为 sp3sp3。化合物N(CH3)3和N(SiH3)3的结构如图1所示,更易形成配合物的是 N(CH3)3N(CH3)3,判断理由是 N(CH3)3中氮原子具有孤对电子,N(SiH3)3中氮原子没有孤对电子N(CH3)3中氮原子具有孤对电子,N(SiH3)3中氮原子没有孤对电子。
(3)β-SiC的晶胞结构如图2所示,若碳和硅的原子半径分别为apm和bpm,密度为ρg⋅cm-3,晶胞中4个C构成的空间构型为 正四面体形正四面体形,其原子的空间利用率(即晶胞中原子体积占空间体积的百分率)为 163π(a3+b3)×10-304×40ρNA×100%163π(a3+b3)×10-304×40ρNA×100%。



16
3
π
(
a
3
+
b
3
)
×
1
0
-
30
4
×
40
ρ
N
A
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3
π
(
a
3
+
b
3
)
×
1
0
-
30
4
×
40
ρ
N
A
【考点】晶胞的计算;原子轨道杂化方式及杂化类型判断.
【答案】Ga;
;2;分子晶体;分子间作用力;sp3;N(CH3)3;N(CH3)3中氮原子具有孤对电子,N(SiH3)3中氮原子没有孤对电子;正四面体形;×100%

16
3
π
(
a
3
+
b
3
)
×
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×
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ρ
N
A
【解答】
【点评】
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发布:2024/6/27 10:35:59组卷:21引用:2难度:0.4
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(1)基态Fe原子的价层电子的电子排布图为
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②N、O两元素的第一电离能由大到小的顺序为
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(4)FeS2晶体的晶胞如图(c)所示。晶胞边长为a nm、FeS2相对式量为M,阿伏加德罗常数的值为NA,其晶体密度的计算表达式为发布:2025/1/5 8:0:1组卷:7引用:1难度:0.7 -
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(3)甲烷、水、氨气中C、O、N原子均采用sp3杂化方式,VSEPR模型均为正四面体构型,比较三者键角的大小
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(5)C60晶胞结构如图,C60分子处于顶点和面心。已知:C60晶胞棱长为14.20Å (1Å=10-8cm),则C60的晶体密度为
C60体中存在正四面体空隙(例如1、3、6、7四点构成)和正八面体空隙(例如3、6、7、8、9、12六点构成),则平均每一个C60晶胞中有发布:2025/1/5 8:0:1组卷:53引用:2难度:0.4 -
3.A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素,且原子序数依次增大,其相关信息如下:
①A的周期序数等于其主族序数;
②B、D原子的L层中都有两个未成对电子;
③E元素原子最外层电子排布式为(n+1)Sn(n+1)Pn-1;
④F原子有四个能层,K、L、M全充满,最外层只有一个电子.
试回答下列问题:
(1)基态E原子中,电子占据的最高能层符号为
(2)B、C、D的电负性由大到小的顺序为
(3)B和D分别与A形成的化合物的稳定性:BA4小于A2D,原因是
(4)以E、F的单质为电极,组成如图1所示的装置,E极的电极反应式为
(5)向盛有F的硫酸盐FSO4的试管里逐滴加入氨水,首先出现蓝色沉淀,继续滴加氨水,蓝色沉淀溶解,得到深蓝色溶液,再向深蓝色透明溶液中加入乙醇,析出深蓝色晶体.蓝色沉淀溶解的离子方程式为
(6)F的晶胞结构(面心立方)如图2所示:已知两个最近的F的距离为acm,F的密度为发布:2025/1/18 8:0:1组卷:14引用:2难度:0.5
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