砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题:
(1)基态Ga原子的核外电子排布式为[Ar]3d104s24p1[Ar]3d104s24p1。
(2)根据元素周期律,元素的电负性Ga小于小于(填“大于”或“小于”,下同)As,第一电离能B大于大于 Ga;BF3和NH3的分子能够通过配位键相结合的原因是NH3的N具有孤对电子,BF3中的B核外具有空轨道NH3的N具有孤对电子,BF3中的B核外具有空轨道。
(3)杀虫剂Na3AsO4中阴离子的空间构型为正四面体正四面体,As原子采取sp3sp3杂化。
(4)组成相似的GaF3和GaCl3晶体,前者属于离子晶体,后者属于分子晶体。从F-和Cl-结构的不同分析其原因是Cl-的电子层数比F-的多,原子半径比F-的大,Cl-的变形性大于F-,被极化程度增大,使从GaF3向GaCl3变化时,键型从离子键向共价键变化Cl-的电子层数比F-的多,原子半径比F-的大,Cl-的变形性大于F-,被极化程度增大,使从GaF3向GaCl3变化时,键型从离子键向共价键变化。
(5)原子晶体GaAs的晶胞参数a=xpm,它的晶胞结构如图所示。该晶胞内部存在的共价键数为1616;A原子距离B原子所在六面体的侧面的最短距离为0.25x0.25x (用x表示)pm;该晶胞的密度为5.8×1012x3•NA5.8×1012x3•NAg•cm-3.(阿伏加德罗常数用NA表示)。
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【考点】晶胞的计算.
【答案】[Ar]3d104s24p1;小于;大于;NH3的N具有孤对电子,BF3中的B核外具有空轨道;正四面体;sp3;Cl-的电子层数比F-的多,原子半径比F-的大,Cl-的变形性大于F-,被极化程度增大,使从GaF3向GaCl3变化时,键型从离子键向共价键变化;16;0.25x;
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【解答】
【点评】
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发布:2024/4/20 14:35:0组卷:24引用:7难度:0.4
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②N、O两元素的第一电离能由大到小的顺序为
③SO42-中S原子的杂化方式为
(3)K3[Fe(CN)6]晶体中中心原子的配位数为
(4)FeS2晶体的晶胞如图(c)所示。晶胞边长为a nm、FeS2相对式量为M,阿伏加德罗常数的值为NA,其晶体密度的计算表达式为发布:2025/1/5 8:0:1组卷:7引用:1难度:0.7