（CdSe）n小团簇（CdnSen,n=1～16）为Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，具有独特的光学和电学性质，常应用于发光二极管、生物系统成像与诊断等方面。
回答下列问题：
（1）基态Se原子的价层电子排布式为

4s²4p⁴

4s²4p⁴

。
（2）Cd的第一电离能大于同周期相邻元素，原因是

Cd的价电子排布式为4d¹⁰5s²，原子轨道为全充满状态

Cd的价电子排布式为4d¹⁰5s²，原子轨道为全充满状态

。
（3）CdS、CdSe、CdTe均为重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，熔点分别为1750℃、1350℃、1041℃，上述熔点呈规律性变化的原因是

CdS、CdSe、CdTe均为离子化合物，阳离子相同，阴离子半径：S^2-＜Se^2-＜Te^2-，晶格能：CdS＞CdSe＞CdTe

CdS、CdSe、CdTe均为离子化合物，阳离子相同，阴离子半径：S^2-＜Se^2-＜Te^2-，晶格能：CdS＞CdSe＞CdTe

。
（4）利用有机配体PH₃、N（CH₃）₃等修饰（CdSe）₂可改善其光致发光效率。其中PH₃的空间构型是

三角锥形

三角锥形

。N（CH₃）₃中参与形成配位键的孤电子对占据的轨道是

sp³

sp³

。
（5）CdSe 的一种晶体为闪锌矿型结构，晶胞结构如图所示。其中原子坐标参数 A 为（

1

4

，

1

4

，

1

4

），则B、C的原子坐标参数分别为

（

3

4

，

3

4

，

1

4

）、（

1

4

，

3

4

，

3

4

）

（

3

4

，

3

4

，

1

4

）、（

1

4

，

3

4

，

3

4

）

。该晶胞中CdSe键的键长为

3

4

a

nm

3

4

a

nm

。已知Cd和Se的原子半径分别为rCdnm和rSenm,则该晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为

4

π

3

×

4

×

（

r

C

d

3

+

r

S

e

3

）

a

3

×100%

4

π

3

×

4

×

（

r

C

d

3

+

r

S

e

3

）

a

3

×100%

。