CdSnAs₂是一种高迁移率的新型热电材料，回答下列问题：
（1）As位于元素周期表中

四

四

周期

VA

VA

族，其基态原子的核外电子排布式为

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p³或[Ar]3d¹⁰4s²4p³

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p³或[Ar]3d¹⁰4s²4p³

；第一电离能As＞Se,原因是

As原子价层电子排布为4s²4p³，其4p轨道为半满稳定结构；Se的价层电子排布为4s²4p⁴失去的是4p轨道的配对电子，配对电子有一定的斥力

As原子价层电子排布为4s²4p³，其4p轨道为半满稳定结构；Se的价层电子排布为4s²4p⁴失去的是4p轨道的配对电子，配对电子有一定的斥力

。
（2）NH₃、PH₃、ASH₃的沸点由高到低的顺序为

NH₃＞AsH₃＞PH₃

NH₃＞AsH₃＞PH₃

（填化学式，下同），键角由大到小的顺序为

NH₃＞PH₃＞AsH₃

NH₃＞PH₃＞AsH₃

。
（3）Sn为ⅣA族元素，单质Sn与干燥Cl₂反应生成SnCl₄。常温常压下SnCl₄为无色液体，SnCl₄空间构型为

正四面体形

正四面体形

，中心原子Sn的杂化方式为

sp³

sp³

。
（4）以晶胞参数（晶胞的三组棱长和三组棱相互间的夹角）为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置，称作原子的分数坐标。四方晶系CdSnAs₂的晶胞结构如图所示，晶胞棱边夹角均为90°，晶胞中部分原子的分数坐标如表所示。

坐标 原子	x	y	z
Cd	0	0	0
Sn	0	0	0.5
As	0.25	0.25	0.125

一个晶胞中有

4

4

个Sn,找出该晶胞内距离Cd（0，0，0）最近的Sn

（

1

2

，

1

2

，0）、（

1

2

，0，

1

4

）

（

1

2

，

1

2

，0）、（

1

2

，0，

1

4

）

（用分数坐标表示）。