砷化镓属于第三代半导体,其晶胞结构如右图所示,回答下列问题:
(1)下列说法中正确的是 ACEACE
A.电负性:As>Ga
B.第一电离能:As<Ga
C.砷和镓都属于p区元素
D.砷和镓的晶胞结构与NaCl相同
E.半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体
(2)砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD方法制备得到,该反应在700℃进行,反应的化学方程式为 (CH3)3Ga+AsH3700℃GaAs+3CH4(CH3)3Ga+AsH3700℃GaAs+3CH4。AsH3的空间构型为 三角锥形三角锥形,(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为 sp2sp2。
(3)Ga的核外电子排布式为 1s22s22p63s23p63d104s24p11s22s22p63s23p63d104s24p1。
(4)AsH3的沸点比NH3,其原因是 NH3分子间能形成氢键,而As电负性小,半径大,分子间不能形成氢键NH3分子间能形成氢键,而As电负性小,半径大,分子间不能形成氢键。
(5)砷化镓晶体中最近的砷和镓原子核间距为acm,砷化镓的摩尔质量为bg/mol-1,阿伏加德罗常数值为NA,则砷化镓晶体密度的表达式 4bNA×(433a)34bNA×(433a)3g/cm-3。
(6)60年代美国化学家鲍林提出了一个经验规则:设含氧酸的化学式为HnROm,其中(m-n)为非羟基氧原子数,鲍林认为含氧酸的强弱与非羟基氧原子数(m-n)的关系见下表.
700
℃
700
℃
4
b
N
A
×
(
4
3
3
a
)
3
4
b
N
A
×
(
4
3
3
a
)
3
m-n | 0 | 1 | 2 | 3 |
含氧酸强度 | 弱酸 | 中强 | 强 | 很强 |
实例 | HClO | H3PO4 | HNO3 | HClO4 |
①按此规则判断H3AsO4、H2CrO4、HMnO4酸性由弱到强的顺序为
H3AsO4<H2CrO4<HMnO4
H3AsO4<H2CrO4<HMnO4
.②H3PO3和H3AsO3的形式一样,但酸性强弱相差很大.已知H3PO3为中强酸,H3AsO3为弱酸,试推断H3PO3和H3AsO3的分子结构




③按此规则判断碳酸应属于
中强
中强
酸,与通常认为的碳酸的强度是否一致?不一致
不一致
.其可能的原因是 溶于水的那部分CO2并不能完全转化为H2CO3
溶于水的那部分CO2并不能完全转化为H2CO3
.【答案】ACE;(CH3)3Ga+AsH3GaAs+3CH4;三角锥形;sp2;1s22s22p63s23p63d104s24p1;NH3分子间能形成氢键,而As电负性小,半径大,分子间不能形成氢键;;H3AsO4<H2CrO4<HMnO4;
、
;中强;不一致;溶于水的那部分CO2并不能完全转化为H2CO3
700
℃
4
b
N
A
×
(
4
3
3
a
)
3


【解答】
【点评】
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发布:2024/4/20 14:35:0组卷:13引用:1难度:0.5
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