锗被广泛应用于电子、光学、化工、生物医学、能源及其他高新科技领域。回答下列问题。
（1）写出锗元素基态原子32Ge的价电子排布式4s24p44s24p4。
（2）利用三氯锗仿（HGeCl3）和抗坏血酸（图1）为原料制备出的抗坏血酸锗倍半氧化物具有广谱抗癌活性。
①已知HGeCl3的沸点为75℃，GeCl4的沸点为83℃，HGeCl3的晶体类型是分子晶体分子晶体，HGeCl3的沸点低于GeCl4的原因是HGeCl3、GeCl4属于分子晶体，GeCl4的相对分子质量更大，分子间作用力更强，其沸点更高HGeCl3、GeCl4属于分子晶体，GeCl4的相对分子质量更大，分子间作用力更强，其沸点更高。
②抗坏血酸易溶于水，试分析其原因可能是抗坏血分子含有羟基，能与水分子之间形成氢键抗坏血分子含有羟基，能与水分子之间形成氢键。
③抗坏血酸（图1）中C原子的杂化方式为sp3、sp2sp3、sp2，其所含元素中第一电离能最大的是OO （填元素符号）。
（3）α-硫化锗（α-GeTe）是一种与石墨类似的层状半导体材料（结构如图2），有关其说法正确的是CC。
A.原子间以非极性共价键相连
B.Ge原子和Te原子与石墨中的碳原子类似，同样处于一个平面内
C.可作半导体的原因与Ge、Te原子分别存在垂直于层状结构的p轨道电子有关
D.Ge原子以sp3杂化方式成键
（4）①新型无机非金属材料氮化锗具有耐腐蚀、硬度高的优良物化特性，是优良的半导体，图3为t型氮化锗的晶胞结构示意图，则该氨化锗的化学式为Ge3N4Ge3N4。
②锗（Ge）掺杂的零热膨胀材料Mn3GeN是近年来的研究热点，图4为其典型晶胞结构，已知该晶胞棱长为a,则用a来表示Mn原子间的最小间距的计算表达式为2a22a2。
2
a
2
2
a
2
【答案】4s24p4；分子晶体；HGeCl3、GeCl4属于分子晶体，GeCl4的相对分子质量更大，分子间作用力更强，其沸点更高；抗坏血分子含有羟基，能与水分子之间形成氢键；sp3、sp2；O；C；Ge3N4；
2
a
2
【解答】
【点评】
声明：本试题解析著作权属菁优网所有，未经书面同意，不得复制发布。
发布：2024/6/27 10:35:59组卷：14引用：1难度：0.5
相似题
-
1．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序数依次增大，其相关信息如下：
①A的周期序数等于其主族序数；
②B、D原子的L层中都有两个未成对电子；
③E元素原子最外层电子排布式为（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四个能层，K、L、M全充满，最外层只有一个电子．
试回答下列问题：
（1）基态E原子中，电子占据的最高能层符号为，F的价层电子排布式为．
（2）B、C、D的电负性由大到小的顺序为（用元素符号填写），C与A形成的分子CA3的VSEPR模型为．
（3）B和D分别与A形成的化合物的稳定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的单质为电极，组成如图1所示的装置，E极的电极反应式为．
（5）向盛有F的硫酸盐FSO4的试管里逐滴加入氨水，首先出现蓝色沉淀，继续滴加氨水，蓝色沉淀溶解，得到深蓝色溶液，再向深蓝色透明溶液中加入乙醇，析出深蓝色晶体．蓝色沉淀溶解的离子方程式为．
（6）F的晶胞结构（面心立方）如图2所示：已知两个最近的F的距离为acm,F的密度为g/cm3（阿伏加德罗常数用NA表示，F的相对原子质量用M表示）发布：2025/1/18 8:0:1组卷：14引用：2难度：0.5 -
2．碳及其化合物有着重要用途。回答下列问题：
（1）基态碳原子的价层电子排布图为。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的杂化方式有、，所含σ键数目和π键数目之比为。
（3）甲烷、水、氨气中C、O、N原子均采用sp3杂化方式，VSEPR模型均为正四面体构型，比较三者键角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室温下为紫红色固体，不溶于水，能溶于四氯化碳等非极性溶剂。据此判断C60的晶体类型是。
（5）C60晶胞结构如图，C60分子处于顶点和面心。已知：C60晶胞棱长为14.20Å （1Å=10-8cm），则C60的晶体密度为g/cm3。
C60体中存在正四面体空隙（例如1、3、6、7四点构成）和正八面体空隙（例如3、6、7、8、9、12六点构成），则平均每一个C60晶胞中有个正四面体空隙和4个正八面体空隙。当碱金属元素全部占满所有空隙后，这类C60掺杂物才具有超导性。若用金属铯（Cs）填满所有空隙，距离最近的两个Cs原子间的距离为Å。发布：2025/1/5 8:0:1组卷：53引用：2难度：0.4 -
3．铁及其化合物在生产生活及科学研究方面应用非常广泛。
（1）基态Fe原子的价层电子的电子排布图为；其最外层电子的电子云形状为。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2•6H2O俗称摩尔盐
①NH4+电子式为。
②N、O两元素的第一电离能由大到小的顺序为（用元素符号表示）
③SO42-中S原子的杂化方式为，VSEPR模型名称为。
（3）K3[Fe（CN）6]晶体中中心原子的配位数为；晶体的配位体为（用化学符号表示）
（4）FeS2晶体的晶胞如图（c）所示。晶胞边长为a nm、FeS2相对式量为M，阿伏加德罗常数的值为NA，其晶体密度的计算表达式为g•cm-3发布：2025/1/5 8:0:1组卷：7引用：1难度：0.7
