近日,《自然-通讯》发表了我国复旦大学魏大程团队开发的一种共形六方氮化硼修饰技术,可直接在二氧化硅表面生长高质量六方氮化硼薄膜。回答下列问题:

(1)下列N原子的电子排布图表示的状态中,能量由低到高的顺序是 A<C<B<DA<C<B<D。(用字母表示)
A.
B.
C.
D.
(2)与硼元素处于同周期且相邻的两种元素和硼元素的第一电离能由大到小的顺序是 C>Be>BC>Be>B。(用元素符号表示)
(3)SiO44-的立体构型为 正四面体正四面体,中心原子Si的轨道杂化类型为 sp3sp3。
(4)与六元环状物质(HB-NH)3互为等电子体的有机分子为 
。(填结构简式)
(5)自然界中含硼元素的钠盐是一种天然矿藏,其化学式写作Na2B4O7•10H2O,实际上它的结构单元是由两个H3BO3和两个[B(OH)4]-缩合而成的双六元环,应该写成Na2[B4O5(OH)4]•8H2O。其阴离子的结构如图1所示,它的阴离子可形成链状结构。
①该晶体中不存在的作用力是 CC。(填选项字母)
A.离子键
B.共价键
C.金属键
D.范德华力
E.氢键
②阴离子通过 氢键氢键(填作用力的名称)相互结合形成链状结构。
(6)Si3N4硬度大、熔点高,常作结构陶瓷材料。C3N4与Si3N4结构相似,请比较二者熔点高低,并说明理由:C3N4的熔点高Si3N4的熔点,因为C的原子半径小于Si原子半径,C-N键的键长小于Si-N键的键长,C-N键的键能大于Si-N键的键能C3N4的熔点高Si3N4的熔点,因为C的原子半径小于Si原子半径,C-N键的键长小于Si-N键的键长,C-N键的键能大于Si-N键的键能。
(7)立方氮化硼属于原子晶体,其晶胞结构如图2所示。其中硼原子的配位数为 44,已知立方氮化硼的密度为dg/cm3,B原子半径为xpm,N原子半径为ypm,阿伏加德罗常数的值为NA,则该晶胞中原子的空间利用率为 4π(x3+y3)dNA75×1030×100%4π(x3+y3)dNA75×1030×100%。(用含d、x、y、NA的代数式表示)


4
π
(
x
3
+
y
3
)
d
N
A
75
×
1
0
30
×
100
%
4
π
(
x
3
+
y
3
)
d
N
A
75
×
1
0
30
×
100
%
【答案】A<C<B<D;C>Be>B;正四面体;sp3;
;C;氢键;C3N4的熔点高Si3N4的熔点,因为C的原子半径小于Si原子半径,C-N键的键长小于Si-N键的键长,C-N键的键能大于Si-N键的键能;4;

4
π
(
x
3
+
y
3
)
d
N
A
75
×
1
0
30
×
100
%
【解答】
【点评】
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发布:2024/6/27 10:35:59组卷:7引用:1难度:0.6
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