元素周期表第ⅢA族包括B、Al、Ga等元素,它们参与形成的化合物有重要研究和应用价值,回答下列问题:
(1)基态Ga原子的价电子排布式为 4s24p14s24p1;Ga、As和Se的第一电离能由小到大的顺序是 Ga<Se<AsGa<Se<As。
(2)实验发现,氯化铝溶于非极性溶剂中或处于熔融状态、蒸气状态时,都以二聚态(A12Cl6)的形式存在。其球棍模型如图甲所示。

①该分子中A1原子采取 sp3sp3杂化。
②Al2Cl6与过量NaOH溶液反应生成Na[Al(OH)4],[Al(OH)4]-中存在的化学键有 BEFBEF(填序号)。
A离子键
B.极性共价键
C.金属键
D.非极性共价键
E.配位键
F.σ键
G.氢键
(3)更高温度下Al2Cl6二聚体离解成AlCl3,BF3是AlCl3的一种等电子体,根据价层电子对互斥理论判断BF3的分子构型为 平面正三角形平面正三角形;写出BF3的一种带负电荷的等电子体粒子:CO32-、NO3-等CO32-、NO3-等。
(4)GaN是第三代半导体材料的研究热点,在干燥的NH3气流中焙烧磨细的GaAs可制得GaN。GaN熔点约为1500℃,GaAs熔点为1 238℃,GaN熔点高于GaAs的原因是 二者均为原子晶体,且GaN中N原子半径小,Ga-N键长比Ga-As键短,键能更大,熔点更高二者均为原子晶体,且GaN中N原子半径小,Ga-N键长比Ga-As键短,键能更大,熔点更高。
(5)GaN的其中一种晶胞结构如图乙所示,与金刚石的晶体结构高度相似。该晶胞中Ga原子处于N原子形成的 正四面体形正四面体形(填“正四面体形”或“正八面体形”)空隙。已知GaN的密度为ρg•cm-3,Ga和N的摩尔质量分别为a g•moL-1和b g•moL-1,NA为阿伏加德罗常数,则GaN晶胞的边长为 34(a+b)ρNA×101034(a+b)ρNA×1010pm(列出表达式)。
3
4
(
a
+
b
)
ρ
N
A
3
4
(
a
+
b
)
ρ
N
A
【考点】晶胞的计算.
【答案】4s24p1;Ga<Se<As;sp3;BEF;平面正三角形;CO32-、NO3-等;二者均为原子晶体,且GaN中N原子半径小,Ga-N键长比Ga-As键短,键能更大,熔点更高;正四面体形;×1010
3
4
(
a
+
b
)
ρ
N
A
【解答】
【点评】
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发布:2024/4/20 14:35:0组卷:20引用:2难度:0.4
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