多晶硅是制作光伏电池的关键材料。以下是由粗硅制备多晶硅的简易过程。

回答下列问题:
Ⅰ.硅粉与HCl在300℃时反应生成1molSiHCl3气体和H2,放出225kJ热量,该反应的热化学方程式为 Si(s)+3HCl(g) 300℃ SiHCl3(g)+H2(g)△H=-225kJ/molSi(s)+3HCl(g) 300℃ SiHCl3(g)+H2(g)△H=-225kJ/mol。SiHCl3的电子式为 
。
Ⅱ.将SiCl4氢化为SiHCl3有三种方法,对应的反应依次为:
①SiCl4(g)+H2(g)⇌SiHCl3(g)+HCl(g)△H1>0
②3SiCl4(g)+2H2(g)+Si(s)⇌4SiHCl3(g)△H2<0
③2SiCl4(g)+H2(g)+Si(s)+HCl(g)⇌3SiHCl3(g) △H3
(1)氢化过程中所需的高纯度H2可用惰性电极电解KOH溶液制备,写出产生H2的电极名称 阴极阴极(填“阳极”或“阴极”),该电极反应方程式为 2H2O+2e-=H2↑+2OH-或2H++2e-=H2↑2H2O+2e-=H2↑+2OH-或2H++2e-=H2↑。

(2)已知体系自由能变△G=△H-T△S,△G<0时反应自发进行。三个氢化反应的△G与温度的关系如图1所示,可知:反应①能自发进行的最低温度是 1000℃1000℃;相同温度下,反应②比反应①的△G小,主要原因是 △H2<△H1导致反应②的△G小△H2<△H1导致反应②的△G小。
(3)不同温度下反应②中SiCl4转化率如图2所示。下列叙述正确的是 acac(填序号)。
a.B点:v正>v逆
b.v正:A点>E点
c.反应适宜温度:480~520℃
(4)反应③的△H3=△H2-△H1△H2-△H1(用△H1,△H2表示)。温度升高,反应③的平衡常数K 减小减小(填“增大”、“减小”或“不变”)。
(5)由粗硅制备多晶硅过程中循环使用的物质除SiCl4、SiHCl3和Si外,还有 HCl、H2HCl、H2(填分子式)。
300
℃
300
℃


【答案】Si(s)+3HCl(g) SiHCl3(g)+H2(g)△H=-225kJ/mol;
;阴极;2H2O+2e-=H2↑+2OH-或2H++2e-=H2↑;1000℃;△H2<△H1导致反应②的△G小;ac;△H2-△H1;减小;HCl、H2
300
℃

【解答】
【点评】
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发布:2024/4/20 14:35:0组卷:785引用:6难度:0.4
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