超纯Ga（CH₃）₃是制备第三代半导体的支撑源材料之一，近年来，我国科技工作者开发了超纯纯化、超纯分析和超纯灌装一系列高新技术，在研制超纯Ga（CH₃）₃方面取得了显著成果，工业上以粗镓为原料，制备超纯Ga（CH₃）₃的工艺流程如图：

知：①金属Ga的化学性质和Al相似，Ga的熔点为29.8℃；
②Et₂O（乙醚）和NR₃（三正辛胺）在上述流程中可作为配体；
③相关物质的沸点：

物质	Ga（CH3）3	Et2O	CH3I	NR3
沸点/℃	55.7	34.6	42.4	365.8

回答下列问题：
（1）晶体Ga（CH₃）₃的晶体类型是

分子晶体

分子晶体

；
（2）“电解精炼”装置如图所示，电解池温度控制在40～45℃的原因是

保证Ga为液体，便于纯Ga流出

保证Ga为液体，便于纯Ga流出

，阴极的电极反应式为

[Ga（OH）₄]^-+3e^-=Ga+4OH^-

[Ga（OH）₄]^-+3e^-=Ga+4OH^-

；

（3）“合成Ga（CH₃）₃（Et₂O）”工序中的产物还包括MgI₂和CH₃MgI，写出该反应的化学方程式

8CH₃I+2Et₂O+Ga₂Mg₅=2Ga（CH₃）₃（Et₂O）+3MgI₂+2CH₃MgI

8CH₃I+2Et₂O+Ga₂Mg₅=2Ga（CH₃）₃（Et₂O）+3MgI₂+2CH₃MgI

；
（4）“残渣”经纯水处理，能产生可燃性气体，该气体主要成分是

CH₄

CH₄

；
（5）下列说法错误的是

D

D

；
A.流程中Et₂O得到了循环利用
B.流程中，“合成Ga₂Mg₅”至“工序X”需在无水无氧的条件下进行
C.“工序X”的作用是解配Ga（CH₃）₃（NR₃），并蒸出Ga（CH₃）₃
D.用核磁共振氢谱不能区分Ga（CH₃）₃和CH₃I
（6）直接分解Ga（CH₃）₃（Et₂O）不能制备超纯Ga（CH₃）₃，而本流程采用“配体交换”工艺制备超纯Ga（CH₃）₃的理由是

NR₃的沸点远高于Ga（CH₃）₃，Ga（CH₃）₃比Et₂O更易分离

NR₃的沸点远高于Ga（CH₃）₃，Ga（CH₃）₃比Et₂O更易分离

；
（7）比较分子中的C—Ga—C键角大小：Ga（CH₃）₃

＞

＞

Ga（CH₃）₃（Et₂O）（填“＞”“＜”或“=”），其原因是

Ga（CH₃）₃中Ga为sp²杂化，所以为平面结构，而Ga（CH₃）₃（Et₂O）中Ga为sp³杂化，所以为四面体结构，故夹角较小

Ga（CH₃）₃中Ga为sp²杂化，所以为平面结构，而Ga（CH₃）₃（Et₂O）中Ga为sp³杂化，所以为四面体结构，故夹角较小

。