目前新合成的砷化镉（Cd₃As₂）三维材料具有超强导电性，这种材料的电气性能与石墨烯相当，可代替石墨烯使用。
（1）Cd与Zn同族且相邻，若Cd基态原子将次外层1个d电子激发进入最外层的np能级，则该激发态原子的外围电子排布式为

4d⁹5s²5p¹

4d⁹5s²5p¹

。Cd原子中第一电离能相对较大的是

基态

基态

原子（填“基态”或“激发态”）。
（2）与砷（As）同主族的N、P两种元素的氢化物水溶液的碱性：NH₃

＞

＞

PH₃（填“＞”或“＜”），原因是

原子半径N＜P，电负性N＞P，NH₃更易结合水中的H⁺而电离出OH^-

原子半径N＜P，电负性N＞P，NH₃更易结合水中的H⁺而电离出OH^-

。
（3）As与Ge、Se同周期且相邻，它们的第一电离能由大到小的顺序为

As＞Se＞Ge

As＞Se＞Ge

（用元素符号表示）。
（4）含砷有机物“对氨基苯砷酸”的结构简式如图1，As原子轨道杂化类型为

sp³

sp³

，1mol对氨基苯砷酸含σ数目为

19N_A（或19×6.02×10²³）

19N_A（或19×6.02×10²³）

。

（5）碳的一种同素异形体的晶体可采取非最密堆积，然后在空隙中插入金属离子获得超导体。如图2为一种超导体的面心立方晶胞，C₆₀分子占据顶点和面心处，K⁺占据的是C₆₀分子围成的

正四面体

正四面体

空隙和

正八面体

正八面体

空隙（填几何空间构型）；若C₆₀分子的坐标参数分别为A（0，0，0），B（

1

2

，0，

1

2

），C（1，1，1）等，则距离A位置最近的阳离子的原子坐标参数为

（

1

4

，

1

4

，

1

4

）

（

1

4

，

1

4

，

1

4

）

。
（6）一定温度下，NiO晶体可以自发地分散并形成“单分子层”，可以认为O^2-作密置单层排列，Ni²⁺填充其中（如图丙），已知O^2-的半径为anm,每平方米面积上分散的该晶体的质量为

75

2

3

a

2

×

10

-

18

N

A

75

2

3

a

2

×

10

-

18

N

A

g（用a、N_A表示）。