高效节能、寿命长的半导体照明产品正在引领照明行业的绿色变革，而氮化镓（GaN）的研制是实现半导体照明的核心技术和基础，当前我国在第三代半导体材解研制方面走在世界的前列。回答下列有关问题。
（1）基态Ga原子的价层电子排布式为

4s²4p¹

4s²4p¹

。
（2）GaN在加热条件下与NaOH溶液发生如下反应：CaN+OH^-+H₂O=

G

a

O

-

2

+NH₃↑。
①基态N、O分别失去一个电子时，需要吸收能量更多的是

N

N

，判断的理由是

N的2p轨道电子排布为半满，较为稳定，第一电离能偏大

N的2p轨道电子排布为半满，较为稳定，第一电离能偏大

。
②

G

a

O

-

2

在高氯酸的热溶液中可以生成化合物[Ga（H₂O）₆]（ ClO₄）₃，该化合物中提供孤电子对形成配位键的原子为

O

O

，1mol[Ga（H₂O）₆]³⁺中所含有的σ键数目为

18N_A

18N_A

，

C

l

O

-

4

与H₂O相比，键角

C

l

O

-

4

＞

＞

H₂O（填“＞”或“＜”）。
（3）GaN的一种晶胞结构可看作金刚石晶胞内部的碳原子被N原子代替，顶点和面心的碳原子被Ga原子代替。
①氮化镓中镓原子的杂化方式为

sp³

sp³

，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为

四面体形

四面体形

。
②以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置，称作原子分数坐标。若沿y轴投影的晶胞中所有原子的分布图如图所示，则2、3、4原子的分数坐标不可能的是

d

d

（填序号）。
a.（0.75，0.75，0.25）
b.（0.75，0.25，0.75）
c.（0.25，0.25，0.25）
d.（0.25，0.75，0.25）
③GaN晶体中N和N的原子核间距为apm,GaN的摩尔质量为Mg•mol^-1，阿伏加德罗常数的值为N_A，则GaN晶体的密度为

4

M

N

A

×

（

2

a

×

1

0

-

10

）

3

4

M

N

A

×

（

2

a

×

1

0

-

10

）

3

g•cm^-3。