以氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)为代表的第三代半导体材料目前已成为全球半导体研究的前沿和热点,如砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍,而耗能即为10%,推广砷化镓等发光二极管(LED)照明,是节能减排的有效举措。请回答下列问题:
(1)基态镓原子的价电子排布式为4s24p14s24p1。
(2)镓失去电子的逐级电离能(单位:kJ•mol-1)的数值依次为577、1985、2962、6192,由此可推知镓的主要化合价为+1+1和+3.砷的电负性比镓大大(填“大”或“小”)。
(3)比较下列镓的卤化物的熔点和沸点,GaCl3、GaBr3、GaI3的熔、沸点依次升高,分析其变化原因:GaCl3、GaBr3、GaI3均为分子晶体,结构相似,相对分子质量依次增大,分子间作用力依次增强GaCl3、GaBr3、GaI3均为分子晶体,结构相似,相对分子质量依次增大,分子间作用力依次增强。
镓的卤化物 | GaCl3 | GaBr3 | GaI3 |
熔点/℃ | 77.75 | 122.3 | 211.5 |
沸点/℃ | 201.2 | 279 | 346 |
GaF3为离子晶体
GaF3为离子晶体
。(4)①砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD(金属有机物化学气相淀积)方法制备得到的,该反应在700℃进行,反应的方程式为:
(CH3)3Ga+AsH3GaAs+3CH4
700
℃
(CH3)3Ga+AsH3GaAs+3CH4
。700
℃
②反应物AsH3分子的几何构型为
三角锥形
三角锥形
,(CH3)3Ga中镓原子杂化方式为sp2
sp2
。(5)砷化镓熔点为1238℃,立方晶胞结构如图所示,晶胞参数为a=565pm,As的配位数为
4
4
,晶体的密度为580
N
A
•
(
565
×
10
-
10
)
3
580
N
A
•
(
565
×
10
-
10
)
3
【答案】4s24p1;+1;大;GaCl3、GaBr3、GaI3均为分子晶体,结构相似,相对分子质量依次增大,分子间作用力依次增强;GaF3为离子晶体;(CH3)3Ga+AsH3GaAs+3CH4;三角锥形;sp2;4;
700
℃
580
N
A
•
(
565
×
10
-
10
)
3
【解答】
【点评】
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发布:2024/4/20 14:35:0组卷:14引用:1难度:0.6
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