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砷化镓(GaAs)半导体材料与传统的硅材料相比,同样条件下,它能更快地传导电流。且它不仅可以用来制作发光二极管、光探测器,还能用来制备半导体激光器,广泛应用于光通信等领域。回答下列问题:
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(2)砷与卤素可形成AsX5、AsX3型两类化合物,其中三卤化砷的熔点和沸点数据如表所示。
砷的卤化物 | AsF3 | AsCl3 | AsBr3 | AsI3 |
熔点/℃ | -6 | -18 | 31.1 | 140.9 |
沸点/℃ | 57.8 | 130.2 | 221 | 424 |
分子晶体
分子晶体
,其熔点变化规律及原因是:AsF3、AsCl3、AsBr3、AsI3都是分子晶体,相对分子质量依次增大,分子间作用力增强
AsF3、AsCl3、AsBr3、AsI3都是分子晶体,相对分子质量依次增大,分子间作用力增强
。②已知AsCl5的空间构型是三角双锥,则它是
非极性
非极性
(填“极性”、“非极性”) 分子。(3)在GaH3、NH3、AsH3中,GaH3是平面三角形分子而AsH3是三角锥形分子,判断的依据是
GaH3中Ga原子不含孤电子对、AsH3中As原子含孤电子对
GaH3中Ga原子不含孤电子对、AsH3中As原子含孤电子对
,三种氢化物中,易与H+形成配位键的是 NH3
NH3
。(4)砷化镓的立方晶胞结构如图所示,晶胞参数为a nm,砷化镓晶体的密度为ρg/cm3。则Ga的配位数是
4
4
,阿伏加德罗常数NA=5
.
8
×
1
0
23
ρ
a
3
5
.
8
×
1
0
23
ρ
a
3
【考点】晶胞的计算.
【答案】[Ar]3d104s24p1或1s22s22p63s23p63d104s24p1;3;分子晶体;AsF3、AsCl3、AsBr3、AsI3都是分子晶体,相对分子质量依次增大,分子间作用力增强;非极性;GaH3中Ga原子不含孤电子对、AsH3中As原子含孤电子对;NH3;4;
5
.
8
×
1
0
23
ρ
a
3
【解答】
【点评】
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发布:2024/4/20 14:35:0组卷:8引用:3难度:0.3
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