已知短周期元素M、N、X、Y、Z分布在三个周期，N、X最外层电子数相同，Z原子序数大于X，其中Z的简单离子半径在同周期中最小，X单质极易与常见无色无味液态物质发生置换反应且作氧化剂，在短周期中Y的最高价氧化物对应水化物的碱性最强。回答下列问题：
（1）Y在周期表中的位置是

第三周期ⅠA族

第三周期ⅠA族

，写出YM的电子式：

。
（2）N、X、Y、Z简单离子的半径由大到小的顺序（用对应离子符号表示）：

Cl^-＞F^-＞Na⁺＞Al³⁺

Cl^-＞F^-＞Na⁺＞Al³⁺

。
（3）在YZO₂与YX的混合液中，通入足量CO₂，是工业制取Y₃ZX₆的一种方法，写出该反应的化学方程式：

NaAlO₂+6NaF+4CO₂+2H₂O=Na₃AlF₆+4NaHCO₃

NaAlO₂+6NaF+4CO₂+2H₂O=Na₃AlF₆+4NaHCO₃

。
（4）镓（₃₁Ga）的化合物氮化镓（GaN）和砷化镓（GaAs）作为第三代半导体材料，具有耐高温、耐高电压等特性，随着5G技术的发展，它们的商用价值进入“快车道”。
①下列有关说法正确的是

bc

bc

。
a.Ga位于元素周期表第四周期ⅣA族
b.Ga为门捷列夫预言的“类铝”
c.Ga的最高价氧化物对应水化物的碱性比Z元素最高价氧化物对应水化物的碱性强
d.酸性：H₃AsO₄＞H₃PO₄＞HNO₃
②废弃的含GaAs的半导体材料可以用浓硝酸溶解，放出NO₂气体，同时生成H₃AsO₄和Ga（NO₃）₃，写出该反应应的化学方程式为

GaAs+11HNO₃（浓）=H₃AsO₄+8NO₂↑+Ga（NO₃）₃+4H₂O

GaAs+11HNO₃（浓）=H₃AsO₄+8NO₂↑+Ga（NO₃）₃+4H₂O

。
（5）YZM₄是有机合成的重要还原剂，其合成路线如图所示。

利用YZM₄遇水反应生成的氢气的体积测定YZM₄样品纯度。
其反应原理：YZM₄+M₂O→YZO₂+M₂（未配平）。
现设计如图四种装置测定YZM₄样品的纯度（假设杂质不参与反应）：

①从简约性、准确性考虑，最适宜的方案是

乙

乙

（填编号）。
②取样品ag,若实验测得氢气的体积为VmL（标准状态），则YZM₄样品纯度为

54

V

×

1

0

-

3

89

.

6

a

×100%

54

V

×

1

0

-

3

89

.

6

a

×100%

（用代数式表示）。