2021年4月9日,北京大学材料物理研究所叶堉团队利用相变和重结晶的方法,在非晶SiO2/Si表面上实现了二维半导体碲化钼 (9642Mo12752Te2,Te位于第五周期,第VIA族)单晶薄膜的无缝制备,发表在英国科学杂质《Science》上。下列叙述错误的是( )
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【考点】硅的性质及用途;二氧化硅的性质及用途.
【答案】A
【解答】
【点评】
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发布:2024/4/20 14:35:0组卷:1引用:1难度:0.7