在芯片制造过程中，离子注入是其中一道重要的工序．如图所示是一部分离子注入工作原理示意图，离子经加速后沿水平方向进入速度选择器，选择出一定速度的离子，然后通过磁分析器Ⅰ，选择出特定比荷的离子，经偏转系统Ⅱ后注入水平放置的硅片上．速度选择器、磁分析器中的匀强磁场的磁感应强度大小均为B，方向均垂直纸面向外；速度选择器中的匀强电场场强大小为E，方向竖直向上．磁分析器截面是矩形，矩形长为2L，宽为（4-23）L．其宽和长中心位置C和D处各有一个小孔；半径为L的圆形偏转系统Ⅱ内存在垂直纸面向外，磁感应强度大小可调的匀强磁场，D、M、N在一条竖直线上，DM为圆形偏转系统的直径，最低点M到硅片的距离MN=L2，不计离子重力。
（1）求离子通过速度选择器后的速度大小；
（2）求磁分析器选择出来的离子的比荷；
（3）若偏转系统磁感应强度大小的取值范围233B≤B偏≤3B，求硅片上离子注入的宽度．
（
4
-
2
3
）
L
L
2
2
3
3
B
≤
B
偏
≤
3
【答案】（1）离子通过速度选择器后的速度大小为；
（2）磁分析器选择出来的离子的比荷为；
（3）硅片上离子注入的宽度为。
E
B
（2）磁分析器选择出来的离子的比荷为
E
2
B
2
L
（3）硅片上离子注入的宽度为
3
L
【解答】
【点评】
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发布：2024/4/20 14:35:0组卷：426引用：5难度：0.2
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