在物理学中，磁感应强度（用字母B表示，国际单位是特斯拉，符号是T）表示磁场的强弱，磁感应强度B越大，磁场越强；磁感线形象、直观描述磁场，磁感线越密，磁场越强。

（1）图甲为某磁极附近磁感线的方向和分布的示意图。由图可知，该磁极为

N

N

极，若在2处放置一个小磁针，当小磁针静止时，其指向应是图乙中的

丙

丙

；位置1处磁感应强度

大于

大于

位置2处的磁感应强度（填“大于”、“小于”或“等于”）。
（2）如果电阻的大小随磁场的强弱变化而变化，则这种电阻叫磁敏电阻。某磁敏电阻R的阻值随磁感应强度B变化的图象如图丙所示。根据图线可知，磁敏电阻的阻值随磁感应强度B的增大而

增大

增大

。（填“增大”或“减小”）

（3）利用该磁敏电阻的R-B特性曲线可以测量磁场中各处的磁感应强度。
①将该磁敏电阻R放置在图甲磁场中的位置1处。小吴设计了一个可以测量该磁敏电阻R的电路，并连接成如图丁所示的实验电路，其中磁敏电阻所处的磁场未画出。
②正确接线后，测得的数据如下表格所示。该磁敏电阻的测量值为

500

500

Ω。
根据该磁敏电阻的R-B特性曲线（图丙）可知，位置1处的磁感应强度为

1.0

1.0

T。

	1	2	3
U/V	1.5	3.0	4.5
I/mA	3.0	6.0	9.0