含镓(Ga)化合物在半导体材料、医药行业等领域发挥重要作用。回答下列问题:
(1)基态镓原子最外层的电子排布图为
或
或
。
(2)Ga与Zn的第一电离能大小关系为:Ga <<Zn(填“>”“<”或“=”)。
(3)GaX3的熔沸点如下表所示。


镓的卤化物 | GaCl3 | GaBr3 | GaI3 |
熔点/℃ | 77.75 | 122.3 | 211.5 |
沸点/℃ | 201.2 | 279 | 346 |
GaCl3
GaCl3
(填化学式),沸点依次升高的原因是 三者均属于分子晶体,相对分子质量依次增大,分子间作用力增强,熔沸点依次升高
三者均属于分子晶体,相对分子质量依次增大,分子间作用力增强,熔沸点依次升高
。②GaF3的熔点约1000℃,远高于GaCl3的熔点,原因是
GaF3属于离子晶体,GaCl3为分子晶体,离子晶体熔点高于分子晶体
GaF3属于离子晶体,GaCl3为分子晶体,离子晶体熔点高于分子晶体
。(4)镓配合物具有高的反应活性和良好的选择性.在药物领域得到广泛的关注。GaCl3与2-甲基8-羟基喹啉(

sp2、sp3
sp2、sp3
;H、C、N的原子半径由大到小的顺序为 C>N>H
C>N>H
。
(5)作为第二代半导体,砷化镓单晶因其价格昂贵而素有“半导体贵族”之称。砷化镓是由Ga(CH3)3和AsH3在一定条件下制备得到,同时得到另一物质,该物质分子是
非极性分子
非极性分子
(填“极性分子”或“非极性分子”),AsH3分子的空间形状为 三角锥形
三角锥形
。(6)GaN是制造LED的重要材料,被誉为“第三代半导体材料”。其晶体结构如图2所示:
①在GaN晶体中,距离每个Ga原子最近的Ga原子有
4
4
个,N原子的配位数为 4
4
。②GaN的密度为
336
N
A
×
3
×
a
2
×
c
336
N
A
×
3
×
a
2
×
c
【答案】或
;<;GaCl3;三者均属于分子晶体,相对分子质量依次增大,分子间作用力增强,熔沸点依次升高;GaF3属于离子晶体,GaCl3为分子晶体,离子晶体熔点高于分子晶体;sp2、sp3;C>N>H;非极性分子;三角锥形;4;4;

336
N
A
×
3
×
a
2
×
c
【解答】
【点评】
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发布:2024/4/20 14:35:0组卷:22引用:1难度:0.6
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