芯片是国家科技的心脏。在硅及其化合物上进行蚀刻是芯片制造中非常重要的环节。三氟化氮（NF3）、四氟化碳（CF4）是常见的蚀刻剂。
（1）高纯三氟化氮对二氧化硅具有优异的蚀刻速率和选择性。
①二氧化硅的晶胞结构如图-1所示，二氧化硅晶体中硅原子周围最近的硅原子有 44个。
②工业上常采用F2直接氟化尿素[CO（NH2）2]的方法生产NF3，得到的NF3中常含有少量CF4，常温下，三种物质在水中的溶解性大小顺序为：CF4＜NF3＜NH3，原因是 CF4是非极性分子，NF3、NH3均为极性分子，但NH3的极性比NF3大，且NH3更易与水形成分子间氢键CF4是非极性分子，NF3、NH3均为极性分子，但NH3的极性比NF3大，且NH3更易与水形成分子间氢键。
（2）四氟化碳的一种蚀刻机理是：CF4在等离子体的条件下产生活性自由基（▪F），该自由基易与硅及其化合物中的硅原子结合生成SiF4气体从而达到蚀刻目的。用CF4（g）进行蚀刻时常与氧气混合，当混合气体的流速分别为80mL•min-1和100mL•min-1时，蚀刻速率随混合气体中O2和CF4体积之比[V（O2）/V（CF4）]的变化如图-2所示。
①a点蚀刻速率比b点快的原因是 a点产生活性自由基（▪F）的浓度大a点产生活性自由基（▪F）的浓度大。
②蚀刻速率随V（O2）/V（CF4）先升高后降低的原因是 O2与CF4中的C元素反应生成CO（或CO2），O2的体积分数增大，有利于产生更高浓度的活性自由基（▪F）；随着O2体积分数的继续增加，CF4的含量减小，产生活性自由基（▪F）的浓度减小O2与CF4中的C元素反应生成CO（或CO2），O2的体积分数增大，有利于产生更高浓度的活性自由基（▪F）；随着O2体积分数的继续增加，CF4的含量减小，产生活性自由基（▪F）的浓度减小。
（3）NF3是一种强温室气体，消除大气中的 NF3对于环境保护具有重要意义。国内某科研团队研究了利用氢自由基（•H）的脱氟反应实现NF3的降解。降解生成•NF2和HF的两种反应历程如图-3所示。其中直接抽提反应是降解的主要历程，原因是 直接抽提反应的活化能小，反应步骤少直接抽提反应的活化能小，反应步骤少。
【考点】晶胞的计算．
【答案】4；CF4是非极性分子，NF3、NH3均为极性分子，但NH3的极性比NF3大，且NH3更易与水形成分子间氢键；a点产生活性自由基（▪F）的浓度大；O2与CF4中的C元素反应生成CO（或CO2），O2的体积分数增大，有利于产生更高浓度的活性自由基（▪F）；随着O2体积分数的继续增加，CF4的含量减小，产生活性自由基（▪F）的浓度减小；直接抽提反应的活化能小，反应步骤少
【解答】
【点评】
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发布：2024/4/20 14:35:0组卷：34引用：1难度：0.6
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1．铁及其化合物在生产生活及科学研究方面应用非常广泛。
（1）基态Fe原子的价层电子的电子排布图为；其最外层电子的电子云形状为。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2•6H2O俗称摩尔盐
①NH4+电子式为。
②N、O两元素的第一电离能由大到小的顺序为（用元素符号表示）
③SO42-中S原子的杂化方式为，VSEPR模型名称为。
（3）K3[Fe（CN）6]晶体中中心原子的配位数为；晶体的配位体为（用化学符号表示）
（4）FeS2晶体的晶胞如图（c）所示。晶胞边长为a nm、FeS2相对式量为M，阿伏加德罗常数的值为NA，其晶体密度的计算表达式为g•cm-3发布：2025/1/5 8:0:1组卷：7引用：1难度：0.7 -
2．碳及其化合物有着重要用途。回答下列问题：
（1）基态碳原子的价层电子排布图为。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的杂化方式有、，所含σ键数目和π键数目之比为。
（3）甲烷、水、氨气中C、O、N原子均采用sp3杂化方式，VSEPR模型均为正四面体构型，比较三者键角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室温下为紫红色固体，不溶于水，能溶于四氯化碳等非极性溶剂。据此判断C60的晶体类型是。
（5）C60晶胞结构如图，C60分子处于顶点和面心。已知：C60晶胞棱长为14.20Å （1Å=10-8cm），则C60的晶体密度为g/cm3。
C60体中存在正四面体空隙（例如1、3、6、7四点构成）和正八面体空隙（例如3、6、7、8、9、12六点构成），则平均每一个C60晶胞中有个正四面体空隙和4个正八面体空隙。当碱金属元素全部占满所有空隙后，这类C60掺杂物才具有超导性。若用金属铯（Cs）填满所有空隙，距离最近的两个Cs原子间的距离为Å。发布：2025/1/5 8:0:1组卷：53引用：2难度：0.4 -
3．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序数依次增大，其相关信息如下：
①A的周期序数等于其主族序数；
②B、D原子的L层中都有两个未成对电子；
③E元素原子最外层电子排布式为（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四个能层，K、L、M全充满，最外层只有一个电子．
试回答下列问题：
（1）基态E原子中，电子占据的最高能层符号为，F的价层电子排布式为．
（2）B、C、D的电负性由大到小的顺序为（用元素符号填写），C与A形成的分子CA3的VSEPR模型为．
（3）B和D分别与A形成的化合物的稳定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的单质为电极，组成如图1所示的装置，E极的电极反应式为．
（5）向盛有F的硫酸盐FSO4的试管里逐滴加入氨水，首先出现蓝色沉淀，继续滴加氨水，蓝色沉淀溶解，得到深蓝色溶液，再向深蓝色透明溶液中加入乙醇，析出深蓝色晶体．蓝色沉淀溶解的离子方程式为．
（6）F的晶胞结构（面心立方）如图2所示：已知两个最近的F的距离为acm,F的密度为g/cm3（阿伏加德罗常数用NA表示，F的相对原子质量用M表示）发布：2025/1/18 8:0:1组卷：14引用：2难度：0.5
