在物理学中，磁场的强弱用磁感应强度（用字母B表示，国际单位是特斯拉，符号是T）来表示，磁感线越密的地方，磁场越强，磁感应强度B越大。
（1）如图中，a为某磁极附近磁感线方向和分布的示意图。由图可知，该磁极为NN极；若在1处放置一个小磁针，当小磁针静止时，其指向应是图b中的甲甲。
（2）磁敏电阻阻值的大小随磁场的强弱变化而变化，图丙是某磁敏电阻R的阻值随磁感应强度B变化的图象。根据图线可知，磁敏电阻的阻值随磁感应强度B的增大而增大增大，图线没有过坐标原点，是因为放入磁场前，磁敏电阻的阻值不为零放入磁场前，磁敏电阻的阻值不为零。
（3）王强设计了一个可以测量该磁敏电阻R的电路，如图d所示（其中磁敏电阻所处的磁场未画出）。将该磁敏电阻R放置在磁场中的某处位置，测出电阻后，利用R-B特性曲线可以读出相应的磁感应强度。
①在图甲磁场中1处，三次测得的数据如下表所示，则该磁敏电阻的测量值为500500Ω。
| 1 | 2 | 3 | |
| U/I | 1.50 | 3.00 | 4.50 |
| I/mA | 3.00 | 6.00 | 9.00 |
1.0
1.0
T。③在实验过程中，仅将磁敏电阻从1处移至2处，其他条件不变，那么电流表的示数
增大
增大
（填“增大”、“减小”或“不变”）。【答案】N；甲；增大；放入磁场前，磁敏电阻的阻值不为零；500；1.0；增大
【解答】
【点评】
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发布：2024/4/20 14:35:0组卷：20引用：1难度：0.4
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