半导体晶体是半导体工业的主要基础原料，第一代半导体代表材料是锗（Ge）单晶和硅单晶（Si），他们的出现实现了超大规模集成电路，第二代砷化镓（GaAs）等化合物半导体制成的激光器成为光通信系统中的关键器件，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、金刚石、氮化铝（AlN）等属于第三代半导体材料，又被称为高温半导体材料。
（1）Ge的核外电子排布式为[Ar]3d104s24p23d104s24p2，其核外电子空间运动状态有 1717种。
（2）第四周期第一电离能介于Ga和As之间的主族元素有 Ca、Ge、SeCa、Ge、Se（写元素符号），砷化镓可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反应制得，AsH3的空间构型为 三角锥形三角锥形，（CH3）3Ga中Ga的杂化方式为 sp2sp2。
（3）NH3，PH3，AsH3还原性由大到小顺序为 AsH3＞PH3＞NH3AsH3＞PH3＞NH3，沸点由大到小顺序为 NH3＞AsH3＞PH3NH3＞AsH3＞PH3，键角由大到小顺序为 NH3＞PH3＞AsH3NH3＞PH3＞AsH3，键角变化规律的原因是 电负性N＞P＞As,中心原子电负性越大，与H原子之间的共用电子对离中心原子越近，成键电子对之间斥力越大，键角越大电负性N＞P＞As,中心原子电负性越大，与H原子之间的共用电子对离中心原子越近，成键电子对之间斥力越大，键角越大。
（4）碳化硅结构与金刚石类似，C原子为面心立方堆积，Si原子填在C原子组成的四面体空隙中，其晶胞结构如图1并建立起图2坐标系，以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置，称作原子分数坐标，已知顶点C的分数坐标为（0，0，0），若将离原点最近的Si移至原点，则剩余三个Si的坐标分别为 （12，12，0）、（12，0，12）、（0，12，12）（12，12，0）、（12，0，12）、（0，12，12），若晶胞密度为ρg•cm-3，阿伏加德罗常数为NA，则两个最近的Si之间的距离为 22×34×（12+28）ρNA×101022×34×（12+28）ρNA×1010pm。（列出计算表达式）
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【答案】3d104s24p2；17；Ca、Ge、Se；三角锥形；sp2；AsH3＞PH3＞NH3；NH3＞AsH3＞PH3；NH3＞PH3＞AsH3；电负性N＞P＞As，中心原子电负性越大，与H原子之间的共用电子对离中心原子越近，成键电子对之间斥力越大，键角越大；（，，0）、（，0，）、（0，，）；××1010
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【解答】
【点评】
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发布：2024/4/20 14:35:0组卷：9引用：1难度：0.5
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1．铁及其化合物在生产生活及科学研究方面应用非常广泛。
（1）基态Fe原子的价层电子的电子排布图为；其最外层电子的电子云形状为。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2•6H2O俗称摩尔盐
①NH4+电子式为。
②N、O两元素的第一电离能由大到小的顺序为（用元素符号表示）
③SO42-中S原子的杂化方式为，VSEPR模型名称为。
（3）K3[Fe（CN）6]晶体中中心原子的配位数为；晶体的配位体为（用化学符号表示）
（4）FeS2晶体的晶胞如图（c）所示。晶胞边长为a nm、FeS2相对式量为M，阿伏加德罗常数的值为NA，其晶体密度的计算表达式为g•cm-3发布：2025/1/5 8:0:1组卷：7引用：1难度：0.7 -
2．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序数依次增大，其相关信息如下：
①A的周期序数等于其主族序数；
②B、D原子的L层中都有两个未成对电子；
③E元素原子最外层电子排布式为（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四个能层，K、L、M全充满，最外层只有一个电子．
试回答下列问题：
（1）基态E原子中，电子占据的最高能层符号为，F的价层电子排布式为．
（2）B、C、D的电负性由大到小的顺序为（用元素符号填写），C与A形成的分子CA3的VSEPR模型为．
（3）B和D分别与A形成的化合物的稳定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的单质为电极，组成如图1所示的装置，E极的电极反应式为．
（5）向盛有F的硫酸盐FSO4的试管里逐滴加入氨水，首先出现蓝色沉淀，继续滴加氨水，蓝色沉淀溶解，得到深蓝色溶液，再向深蓝色透明溶液中加入乙醇，析出深蓝色晶体．蓝色沉淀溶解的离子方程式为．
（6）F的晶胞结构（面心立方）如图2所示：已知两个最近的F的距离为acm,F的密度为g/cm3（阿伏加德罗常数用NA表示，F的相对原子质量用M表示）发布：2025/1/18 8:0:1组卷：14引用：2难度：0.5 -
3．碳及其化合物有着重要用途。回答下列问题：
（1）基态碳原子的价层电子排布图为。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的杂化方式有、，所含σ键数目和π键数目之比为。
（3）甲烷、水、氨气中C、O、N原子均采用sp3杂化方式，VSEPR模型均为正四面体构型，比较三者键角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室温下为紫红色固体，不溶于水，能溶于四氯化碳等非极性溶剂。据此判断C60的晶体类型是。
（5）C60晶胞结构如图，C60分子处于顶点和面心。已知：C60晶胞棱长为14.20Å （1Å=10-8cm），则C60的晶体密度为g/cm3。
C60体中存在正四面体空隙（例如1、3、6、7四点构成）和正八面体空隙（例如3、6、7、8、9、12六点构成），则平均每一个C60晶胞中有个正四面体空隙和4个正八面体空隙。当碱金属元素全部占满所有空隙后，这类C60掺杂物才具有超导性。若用金属铯（Cs）填满所有空隙，距离最近的两个Cs原子间的距离为Å。发布：2025/1/5 8:0:1组卷：53引用：2难度：0.4
