硅、镓、锗、硒等单质及某些化合物（如砷化镓）都是常用的半导体材料，广泛用于光电应用领域。具有钙钛矿结构的金属卤化物（通常用ABX₃表示）作为一种新型半导体材料也备受关注，A是阳离子（CH₃NH₃⁺、Cs⁺等），B是二价金属阳离子（Pb²⁺，Sn²⁺等），X是卤离子。
（1）基态Se原子的核外电子排布式为

[Ar]3d¹⁰4s²4p⁴

[Ar]3d¹⁰4s²4p⁴

，其能量最高轨道的电子云形状为

哑铃型

哑铃型

。
（2）镓、锗、砷、硒的第一电离能由大到小的顺序为

As＞Se＞Ge＞Ga

As＞Se＞Ge＞Ga

。（用元素符号表示）
（3）CH₃NH₃⁺中N原子的杂化方式为

sp³

sp³

，该离子与

CH₃CH₃

CH₃CH₃

分子互为等电子体；CH₃NH₃⁺中H-N-H键角比NH₃中H-N-H键角

大

大

（填“大”或“小”），理由是

CH₃NH₃⁺中N无电子对，NH₃中N含有一个孤电子对，孤电子对对于H-N键的排斥力更大，将H-N-H键角压缩变小

CH₃NH₃⁺中N无电子对，NH₃中N含有一个孤电子对，孤电子对对于H-N键的排斥力更大，将H-N-H键角压缩变小

。
（4）锗的一种氧化物的立方晶胞如图所示。

其中原子坐标参数A为（0，0，0），B为（1，1，0），则C原子坐标参数为

（

1

4

，

3

4

，

3

4

）

（

1

4

，

3

4

，

3

4

）

，O的配位数为

4

4

，每个Ge原子周围距离最近且相等的Ge原子有

12

12

个。已知Ge与O的最近距离为anm,阿伏加德罗常数值为N_A，则该晶体的密度ρ=

4

×

89

N

A

×

（

4

3

a

3

）

3

×

10

-

21

4

×

89

N

A

×

（

4

3

a

3

）

3

×

10

-

21

g•cm^-3。（列出计算式即可）