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巨磁电阻效应
1988年阿尔贝•费尔和彼得•格林贝格尔发现，在铁、铬相间的三层复合膜电阻中，微弱的磁场可以导致电阻大小的急剧变化，这种现象被命名为“巨磁电阻效应”。
格林贝格尔发现，并非任意两种不同种金属的三层复合膜都具有“巨磁电阻效应”。三层膜中，只有两侧是铁、钴、镍这三种容易被磁化的金属中的一种，中间一层是不易被磁化的其他金属，才可能产生“巨磁电阻效应”。用R₀表示未加磁场时复合膜的电阻，R表示加入磁场后复合膜的电阻。实验测得，铁、铬组成复合膜的

R

R

0

与磁场强度的关系如图乙所示。三条图线中铁膜层的厚度均是3nm,图线1、图线2和图线3中铬膜层的厚度分别是1.8nm、1.2nm和0.9nm。
1994年IBM公司利用“巨磁电阻效应”，研制出“新型读出磁头”，用于家用计算机的硬盘中。这种磁头将磁场对复合膜阻值的影响转换成电压的变化来读取信息。
（1）以下三层复合膜可能发生“巨磁电阻效应”的是

B

B

。
A．铁/钴/铁   B．钴/铜/钴   C．金/铝/金  D．铜/铁/铜
（2）图乙中所加磁场强度逐渐增强时，图线3对应复合膜的阻值的变化情况是

先减小后不变

先减小后不变

。
（3）“新型读出磁头”可将微弱的磁信息转化为

电

电

信息。该转化过程

不是

不是

（是/不是）利用电磁感应原理。
（4）图乙中当磁场强度是20单位时，下列分析正确的是
A．图线1的阻值最大              B．图线3的阻值最大
C．图线1的阻值变化最显著        D．图线3的阻值变化最显著
（5）图丙中“A…E”是家用计算机硬盘某磁道。铁、铬复合膜的“新型读出磁头”中电流I保持恒定。磁头从左向右匀速经过该磁道的过程中，磁头两端电压U变化情况如图丁所示。如果用1表示有磁区域，0表示无磁区域，则用1和0表示图丙中ABCDE是

10010

10010

。