新型材料GaN和AlN应用前景广泛，对其制备过程的研究成为热点。回答下列问题：
（1）在1100℃下用镓与氨气制得氮化镓，该可逆反应每生成1gH₂放出5.15kJ热量。该反应的热化学方程式是

2Ga（l）+2NH₃（g）=2GaN（s）+3H₂（g）ΔH=-30.9kJ/mol

2Ga（l）+2NH₃（g）=2GaN（s）+3H₂（g）ΔH=-30.9kJ/mol

（已知金属镓的熔点是29.8℃，沸点是2403℃；氮化镓的熔点为1700℃）。
（2）在恒容密闭容器中，加入一定量的液态镓与氨气发生上述反应，测得反应平衡体系中NH₃的体积分数与压强（P）、温度（T）的关系如图1所示（已知图中T₁和T₂的温度均小于1700℃）。

①下列说法错误的是

ab

ab

（填标号）。
a.当v（NH₃）：v（H₂）=2：3时达到了化学平衡状态
b.温度一定时，达到平衡后再充入氦气（氦气不参与反应），NH₃的转化率减小
c.B点和C点化学平衡常数的关系是：K_B＜K_C
d.GaN的晶体结构如图2所示，Ga原子和N原子都是sp³杂化
②已知在T℃时体系的初始压强为aPa,则A点的K_p=

0.6aPa

0.6aPa

。[气相平衡中用组分的平衡分压代替物质的量浓度表示平衡常数（记作K_p），分压=总压×气体的物质的量分数，用含a的式子表示]。
（3）电解精炼法提纯镓的过程中需控制合适的电压，若电压太高时阴极会产生H₂，导致电解效率下降。若外电路通过0.3mol电子时，阴极得到4.9g的镓。则该电解装置的电解效率η=

70%

70%

（已知η=

生成目标产物消耗的电子数 转移的电子总数 × 100 %

）。
（4）铝粉与N₂在一定温度下可直接生成AlN，加入少量NH₄Cl固体可促进反应。将等质量的铅粉与不同量的NH₄Cl混合均匀后置于充满N₂的密闭容器中，用电火花引燃。不同温度下合成产物的XRD图谱如图3所示，产品中AlN的质量分数[w（AlN）]随原料中w（NH₄Cl）的变化如图4所示，燃烧过程中温度随时间的变化如图5所示。则：

①合成AlN的最佳条件是

反应温度为1000℃，w（NH₄Cl）为3%

反应温度为1000℃，w（NH₄Cl）为3%

。
②当ω（NH₄Cl）较小时，有利于AlN制备的原因可能是

NH₄Cl分解产生的HCl能破坏铝表面的氧化膜

NH₄Cl分解产生的HCl能破坏铝表面的氧化膜

；当ω（NH₄Cl）超过一定值后，ω（AlN）明显减少的原因可能是

NH₄Cl分解吸热造成温度降低，不利于Al与N₂反应

NH₄Cl分解吸热造成温度降低，不利于Al与N₂反应

。