硅、锗（Ge）及其化合物广泛应用于光电材料领域。回答下列问题：
（1）基态硅原子最外层的电子排布图为 
，晶体硅和碳化硅熔点较高的是 SiCSiC（填化学式）；
（2）硅和卤素单质反应可以得到SiX4。
SiX4的熔沸点
| SiF4 | SiCl4 | SiBr4 | SiI4 | |
| 熔点/K | 183.0 | 203.2 | 278.6 | 393.7 |
| 沸点/K | 187.2 | 330.8 | 427.2 | 560.7 |
SiCl4
SiCl4
（填化学式），沸点依次升高的原因是 不含氢键的分子结构相似的分子晶体，相对分子质量依次增大，分子间作用力逐渐增强
不含氢键的分子结构相似的分子晶体，相对分子质量依次增大，分子间作用力逐渐增强
，气态SiX4分子的空间构型是 正四面体形
正四面体形
；②SiCl4与N—甲基咪唑（
）反应可以得到M2+，其结构如图所示：
N—甲基咪唑分子中碳原子的杂化轨道类型为
sp3、sp2
sp3、sp2
，H、C、N的电负性由大到小的顺序为 N＞C＞H
N＞C＞H
，1个M2+中含有 54
54
个σ键；（3）如图是Mg、Ge、O三种元素形成的某化合物的晶胞示意图。
①已知化合物中Ge和O的原子个数比为1：4，图中Z表示
O
O
原子（填元素符号），该化合物的化学式为 Mg2GeO4
Mg2GeO4
；②已知该晶胞的晶胞参数分别为anm、bnm、cnm,α=β=γ=90°，则该晶体的密度ρ=
740
abc
N
A
×
1
0
-
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740
abc
N
A
×
1
0
-
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【答案】；SiC；SiCl4；不含氢键的分子结构相似的分子晶体，相对分子质量依次增大，分子间作用力逐渐增强；正四面体形；sp3、sp2；N＞C＞H；54；O；Mg2GeO4；
；SiC；SiCl4；不含氢键的分子结构相似的分子晶体，相对分子质量依次增大，分子间作用力逐渐增强；正四面体形；sp3、sp2；N＞C＞H；54；O；Mg2GeO4；740
abc
N
A
×
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【解答】
【点评】
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发布：2024/4/20 14:35:0组卷：838引用：5难度：0.5
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1．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序数依次增大，其相关信息如下：
①A的周期序数等于其主族序数；
②B、D原子的L层中都有两个未成对电子；
③E元素原子最外层电子排布式为（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四个能层，K、L、M全充满，最外层只有一个电子．
试回答下列问题：
（1）基态E原子中，电子占据的最高能层符号为，F的价层电子排布式为．
（2）B、C、D的电负性由大到小的顺序为（用元素符号填写），C与A形成的分子CA3的VSEPR模型为．
（3）B和D分别与A形成的化合物的稳定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的单质为电极，组成如图1所示的装置，E极的电极反应式为．
（5）向盛有F的硫酸盐FSO4的试管里逐滴加入氨水，首先出现蓝色沉淀，继续滴加氨水，蓝色沉淀溶解，得到深蓝色溶液，再向深蓝色透明溶液中加入乙醇，析出深蓝色晶体．蓝色沉淀溶解的离子方程式为．
（6）F的晶胞结构（面心立方）如图2所示：已知两个最近的F的距离为acm,F的密度为g/cm3（阿伏加德罗常数用NA表示，F的相对原子质量用M表示）发布：2025/1/18 8:0:1组卷：14引用：2难度：0.5 -
2．铁及其化合物在生产生活及科学研究方面应用非常广泛。
（1）基态Fe原子的价层电子的电子排布图为；其最外层电子的电子云形状为。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2•6H2O俗称摩尔盐
①NH4+电子式为。
②N、O两元素的第一电离能由大到小的顺序为（用元素符号表示）
③SO42-中S原子的杂化方式为，VSEPR模型名称为。
（3）K3[Fe（CN）6]晶体中中心原子的配位数为；晶体的配位体为（用化学符号表示）
（4）FeS2晶体的晶胞如图（c）所示。晶胞边长为a nm、FeS2相对式量为M，阿伏加德罗常数的值为NA，其晶体密度的计算表达式为g•cm-3发布：2025/1/5 8:0:1组卷：7引用：1难度：0.7 -
3．碳及其化合物有着重要用途。回答下列问题：
（1）基态碳原子的价层电子排布图为。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的杂化方式有、，所含σ键数目和π键数目之比为。
（3）甲烷、水、氨气中C、O、N原子均采用sp3杂化方式，VSEPR模型均为正四面体构型，比较三者键角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室温下为紫红色固体，不溶于水，能溶于四氯化碳等非极性溶剂。据此判断C60的晶体类型是。
（5）C60晶胞结构如图，C60分子处于顶点和面心。已知：C60晶胞棱长为14.20Å （1Å=10-8cm），则C60的晶体密度为g/cm3。
C60体中存在正四面体空隙（例如1、3、6、7四点构成）和正八面体空隙（例如3、6、7、8、9、12六点构成），则平均每一个C60晶胞中有个正四面体空隙和4个正八面体空隙。当碱金属元素全部占满所有空隙后，这类C60掺杂物才具有超导性。若用金属铯（Cs）填满所有空隙，距离最近的两个Cs原子间的距离为Å。发布：2025/1/5 8:0:1组卷：53引用：2难度：0.4
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