2021年天津市高考物理模拟预测试卷(六)
发布:2024/4/20 14:35:0
一、选择题(每小题5分,共25分。每小题给出的四个选项中,只有一个选项是正确的)
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1.下列说法正确的是( )
组卷:146引用:3难度:0.8 -
2.下列说法正确的是( )
组卷:196引用:2难度:0.8 -
3.如图所示,理想变压器输入电压保持不变。若将滑动变阻器的滑动触头向下移动,下列说法正确的是( )
组卷:675引用:14难度:0.8 -
4.如图所示,学生练习颠球。某一次足球静止自由下落80cm,被重新顶起,离开头部后竖直上升的最大高度仍为80cm。已知足球与头部的作用时间为0.1s,足球的质量为0.4kg,重力加速度g取10m/s2,不计空气阻力,足球可视为质点,下列说法正确的是( )
组卷:269引用:4难度:0.6
二.非选择题(共60分)
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12.如图甲所示,两根间距L=1.0m、电阻不计的足够长平行金属导轨ab、cd水平放置,一端与阻值R=2.0Ω的电阻相连。质量m=0.2kg的导体棒ef在恒定外力F作用下由静止开始运动,已知导体棒与两根导轨间的最大静摩擦力和滑动摩擦力均为f=1.0N,导体棒电阻为r=1.0Ω,整个装置处于垂直于导轨平面向上的匀强磁场B中,导体棒运动过程中加速度a与速度v的关系如图乙所示(取g=10m/s2)。求:
(1)当导体棒速度为v时,棒所受安培力F安的大小(用题中字母表示);
(2)恒力F和磁感应强度B分别为多大;
(3)若ef棒由静止开始运动距离为s=6.9m时,速度已达v′=3m/s,求此过程中电阻R上产生的焦耳热QR。组卷:718引用:4难度:0.6 -
13.在芯片制造过程中,离子注入是其中一道重要的工序,如图甲所示是离子注入工作原理的示意图,静止于A处的离子,经电压为U的加速电场加速后,沿图中圆弧虚线通过半径为R0的
圆弧形静电分析器(静电分析器通道内有均匀辐向分布的电场)后,从P点沿竖直方向进入半径为r的圆形匀强磁场区域,该圆形磁场区域的直径PQ与竖直方向成45°,经磁场偏转,最后打在竖直放置的硅片上,离子的质量为m、电荷量为q,不计离子重力。求:14
(1)离子进入圆形匀强磁场区域时的速度大小v;
(2)静电分析器通道内虚线处电场强度的大小E0;
(3)若磁场方向垂直纸面向外,离子从磁场边缘上某点出磁场时,速度方向与直径PQ垂直,求圆形区域内匀强磁场的磁感应强度B0的大小;
(4)若在该圆形区域内加如图乙所示交变的磁场(图中B1大小未知、方向垂直纸面,且以垂直于纸面向外为正方向),当离子从t=0时进入圆形磁场区域时,最后从Q点飞出,水平向右垂直打在硅片上,请写出磁场变化周期T满足的关系表达式。组卷:276引用:9难度:0.6