2022-2023学年重庆市南开中学高二（上）期末物理试卷
发布：2024/12/23 7:30:2
一、单项选择题：本题共10小题，每小题3分，共30分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的。
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1．下列有关安培力和洛伦兹力的说法正确的是（ ）
组卷：160引用：1难度：0.8 -
2．下列关于电磁感应的说法中正确的是（ ）
组卷：73引用：13难度：0.7 -
3．初速度为v0电子，沿平行于通电长直导线的方向射出，直导线中电流方向与电子初始运动方向如图，则（ ）组卷：723引用：24难度：0.9 -
4．在LC振荡电路中，电容器放电时间的长短取决于（ ）
组卷：76引用：3难度：0.7 -
5．如图所示的电路中，已知定值电阻R1=R2=R3=R4，理想变压器原、副线圈的匝数比为1：4，电源输出的电功率为P，R1、R2、R3、R4消耗的电功率分别为P1、P2、P3、P4。则下列说法正确的是（ ）组卷：110引用：1难度：0.5 -
6．某同学用一个微安表头（量程1mA 内阻90Ω）：电阻箱R1和电阻箱R2组装一个多用电表，有电流10mA和电压3V两挡，改装电路如图所示，则R1、R2应调到多大阻值（ ）组卷：632引用：3难度：0.6 -
7．如图所示，在水平匀强电场和垂直于纸面向里的匀强磁场中，有一足够长的竖直固定的绝缘杆MN，小球P套在杆上。已知电场强度为E，磁感应强度为B，小球P的质量为m（不计重力），电荷量为+q,P与杆间的动摩擦因数为μ。现给小球一个初速度，使小球沿杆下滑。则小球开始下滑直到稳定的过程中（ ）组卷：250引用：3难度：0.5
第Ⅱ卷（非选择题共65分）
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21．如图所示，平行金属导轨由倾角为θ=37°的倾斜部分和水平两段平滑连接而成，导轨顶部由电阻为r的导体连接。导轨上有两处匀强磁场，磁感应强度方向垂直于导轨平面向上。在水平导轨无磁场区静止放置金属杆cd。金属杆ab由静止开始下滑，离开区域Ⅰ后在水平导轨与金属杆cd相撞并粘合在一起。双杆进入磁场区域Ⅱ后运动的距离x与速度v的关系式x=1.28-0.8v（m），最终双杆停在区域Ⅱ中。已知金属杆ab、cd质量、电阻均相等。不计摩擦阻力和导轨电阻及磁场边界效应，g=10m/s2，sin37°=0.60，cos37°=0.80，求：
（1）若金属杆ab匀速离开区域Ⅰ，且已知区域Ⅰ磁感应强度B=1T，导轨间距为0.5m,金属杆ab质量为0.1kg,则离开区域Ⅰ时ab杆上的电流大小及方向；
（2）金属杆ab进入水平轨道时的速度大小。
组卷：120引用：1难度：0.4 -
22．在芯片制造过程中，离子注入是其中一道重要的工序。如图所示是离子注入工作原理示意图，离子经加速后沿直线A0A1进入速度选择器，然后垂直于A1A4C4C1平面进入偏转系统后注入处在水平面内的晶圆（硅片）。速度选择器和偏转系统中的匀强磁场的磁感应强度大小均为B，方向均垂直纸面向外，速度选择器和偏转系统中的匀强电场场强大小均为E，方向分别为竖直向上和垂直纸面向外。偏转系统中电场、磁场分布在一个边长为l正方体区域内，其底面与晶圆所在水平面平行，间距也为l。当偏转系统不加电场时，离子恰好竖直注入到晶圆上。整个系统置于真空中，偏转系统底面中心O位于晶圆中心O1正上方，离子的电荷量为q,不计离子重力。求：
（1）离子通过速度选择器的速度大小v和离子质量；
（2）偏转系统磁感应强度调整为1.5B时，不加电场带电离子在偏转系统中的运动时间；
（3）偏转系统磁感应强度调整为1.5B后，同时给偏转系统加上电场，离子从偏转系统底面飞出，注入到晶圆所在水平面的位置的坐标。
组卷：43引用：2难度：0.4
