2021-2022学年湖北省部分省级示范高中高二（上）期末物理试卷
发布：2024/4/20 14:35:0
一、选择题：（本题共11小题，每小题4分，共44分。在每小题给出的四个选项中，第1题～第7题只有一个选项正确，第8题～第11题有多个选项正确，全部选对的4分，选对但不全对的2分，有选错的0分。）
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1．如图，真空冶炼炉、动圈式扬声器和磁电式电流表都有导线绕制的线圈，关于这三种器件的说法正确的是（ ）
组卷：78引用：4难度：0.8 -
2．在同一平面内有互相绝缘的三根无限长直导线ab、cd、ef围成一个等边三角形，三根导线通过的电流大小相等，方向如图所示。o点为等边三角形的中心，M、N两点分别为O点关于导线ab、cd的对称点。已知o点的磁感应强度大小为B1，M点的磁感应强度大小为B2。若撤去导线ab,保持导线ef、cd中的电流不变，则此时N点的磁感应强度大小为（ ）组卷：98引用：2难度：0.5 -
3．A和B两点在x轴上的坐标值为xA和xB，一电子仅在电场力作用下沿x轴运动，该电子的电势能Ep随其坐标x变化的关系如图乙所示，则下列说法中正确的是（ ）
组卷：181引用：2难度：0.5 -
4．如图所示是回旋加速器的示意图，其核心部分是两个D形金属盒，分别与高频交流电源连接，两个D形金属盒间的狭缝中形成周期性变化的电场，使粒子在通过狭缝时都能得到加速，两个D形金属盒处于垂直于盒底的匀强磁场中，忽略粒子在电场中的运动时间，下列说法中正确的是（ ）组卷：83引用：2难度：0.8 -
5．某学生做自感现象实验时，连接电路如图所示，则（ ）组卷：153引用：3难度：0.8
三、计算题（本大题共3小题，14题10分，15题14分，16题16分，共40分。解答应写出必要的文字说明，方程式和重要演算步骤，只写出最后答案的不能得分，有数值计算的题，答案中必须明确写出数值和单位。）
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15．如图所示，光滑平行金属导轨AB、CD固定在倾角为θ的绝缘斜面上，BP、DQ为水平放置的平行且足够长的光滑金属导轨，导轨在B、D两点处平滑连接，水平部分处在磁感应强度为B、方向竖直向下的匀强磁场中，导轨间距均为L。两金属棒ab、cd的质量分别为m、3m,电阻均为R，初始时，金属棒cd垂直静止放置在水平导轨上，金属棒ab从倾斜导轨上距底端距离为s处无初速度释放，进入水平直导轨后与棒cd始终没有接触并一直向右运动，不计导轨电阻，重力加速度为g,求：
（1）金属棒cd的最大加速度am；
（2）金属棒ab上产生的热量Qab。组卷：168引用：1难度：0.4 -
16．离子注入是芯片技术中的一道重要工序。如图所示是离子注入工作原理示意图，离子经电场加速后沿水平方向进入速度选择器，然后通过磁分析器，选择出特定比荷的离子，经偏转系统后注入处在水平面内的晶圆片。速度选择器和磁分析器中的匀强磁场的磁感应强度大小均为B，方向均垂直纸面向外；速度选择器和偏转系统中的匀强电场场强大小均为E，方向分别为竖直向上和垂直纸面向外。磁分析器截面是内外半径分别为R1=R和R2=2R的四分之一圆环，其两端中心位置M和N处各有一个小孔；偏转系统中电场的分布区域是一棱长为R的正方体，其底面与晶圆片所在水平面平行。当偏转系统不加电场时，离子恰好竖直注入到晶圆片上的O点。整个系统置于真空中，不计离子重力。求：
（1）判断离子的电性和离子通过速度选择器的速度大小v；
（2）磁分析器选择出来离子的比荷；qm
（3）偏转系统加电场时，要求离子从偏转系统底面飞出，若晶圆片所在的水平面是半径为R的圆面，为了使偏转粒子能打到晶圆片的水平面上，晶圆片平面到偏转系统底面的距离应满足什么条件？
组卷：45引用：1难度：0.4
