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2019-2020学年黑龙江省实验中学高三(下)开学化学试卷

发布:2024/4/20 14:35:0

一、选择题

  • 1.化学与生产、生活密切相关,下列有关说法正确的是(  )

    组卷:70引用:3难度:0.5
  • 2.NA代表阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是(  )

    组卷:32引用:2难度:0.5
  • 3.A、B、C、D 为原子序数依次增大的短周期主族元素,a、d 分别是 A、D 元素对应的单质,m、n、p、q 是由这些元素中的部分元素组成的化合物,气体 p 常作果实催熟剂,m、n 为两种常见的液体。上述物质发生的转化关系如图所示(反应条件已略去)。下列说法错误的是(  )

    组卷:50引用:3难度:0.5
  • 4.2019年11月《Science》杂志报道了王浩天教授团队发明的制取H2O2的绿色方法,原理如图所示(已知:H2O2⇌H++HO2-,Ka=2.4×10-12)。下列说法错误的是(  )

    组卷:42引用:2难度:0.7

  • 11.以氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)为代表的第三代半导体材料目前已成为全球半导体研究的前沿和热点,如砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍,而耗能即为10%,推广砷化镓等发光二极管(LED)照明,是节能减排的有效举措。请回答下列问题:
    (1)基态镓原子的价电子排布式为
     

    (2)镓失去电子的逐级电离能(单位:kJ•mol-1)的数值依次为577、1985、2962、6192,由此可推知镓的主要化合价为
     
    和+3.砷的电负性比镓
     
    (填“大”或“小”)。
    (3)比较下列镓的卤化物的熔点和沸点,GaCl3、GaBr3、GaI3的熔、沸点依次升高,分析其变化原因:
     

    镓的卤化物 GaCl3 GaBr3 GaI3
    熔点/℃ 77.75 122.3 211.5
    沸点/℃ 201.2 279 346
    GaF3的熔点超过1000℃,可能的原因是
     

    (4)①砷化镓是将(CH33Ga和AsH3用MOCVD(金属有机物化学气相淀积)方法制备得到的,该反应在700℃进行,反应的方程式为:
     

    ②反应物AsH3分子的几何构型为
     
    ,(CH33Ga中镓原子杂化方式为
     

    (5)砷化镓熔点为1238℃,立方晶胞结构如图所示,晶胞参数为a=565pm,As的配位数为
     
    ,晶体的密度为
     
    (设NA 为阿伏加德罗常数的数值,列出算式即可)g•cm-3

    组卷:14引用:1难度:0.6

  • 12.化合物J是一种常用的抗组胺药物,一种合成路线如图:

    已知:①C为最简单的芳香烃,且A、C互为同系物。
    ②2ROH+NH3
    催化剂
    HNR2+2H2O(R代表烃基)。
    请回答下列问题:
    (1)A的化学名称是
     
    ,H中的官能团名称是
     

    (2)由E生成F的反应类型是
     
    ,G的结构简式为
     

    (3)A→B的化学方程式为
     

    (4)L是F的同分异构体,含有联苯()结构,遇FeCl3溶液显紫色,则L有
     
    种(不考虑立体异构)。其中核磁共振氢谱为六组峰,峰面积之比为3:2:2:2:2:1的结构简式为
     

    (5)写出用氯乙烷和2-氯-1-丙醇为原料制备化合物的合成路线(其他无机试剂任选)。
     

    组卷:10引用:1难度:0.4
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