2022年福建省福州三中高考物理质检试卷（八）

一、单项选择题（本题共4小题，每小题4分，共16分。在每小题给出的四个选项中，只有一项符合题目要求。）

• 1．关于近代物理的知识，下列说法正确的是（　　）

  A．查德威克发现质子的核反应方程为 14 7 N+ 4 2 He→ 17 8 O+ 1 1 H

  B．β衰变就是原子核内的一个质子转化为一个中子和电子，电子被释放出来

  C．铀核裂变的一种核反应方程为 235 92 U→ 141 56 Ba+ 92 36 Kr+2 1 0 n

  D．若氢原子从n=6的能级向n=1的能级跃迁时辐射出的光不能使某金属发生光电效应，则氢原子从n=6的能级向n=2的能级跃迁时辐射出的光也不能使该金属发生光电效应
  组卷：187引用：6难度：0.6

  解析

• 2．有关圆周运动的基本模型，下列说法正确的是（　　）
  
  

  A．如图甲，汽车汽车通过凹形桥的最低点处于失重状态

  B．如图乙，小球固定在轻杆的一端，在竖直面内绕杆的另一端做圆周运动，小球的过最高点的速度至少等于 gr

  C．如图丙，用相同材料做成的 A、B 两个物体放在匀速转动的水平转台上随转台一起做圆周运动，mB=2mA，rA=2rB，转台转速缓慢加快时，物体 A 最先开始滑动

  D．如图丁，火车转弯超过规定速度行驶时，内轨对内轮缘会有挤压作用
  组卷：91引用：4难度：0.7

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• 3．如图所示，a、b、c、d为一矩形的四个顶点，一匀强电场的电场强度方向与该矩形平行．已知a、b、c三点的电势分别为0.1V、0.4V，0.7V。ab的长为6cm,bc的长为8cm,下列说法正确的是（　　）

  A．该匀强电场的电场强度大小为8.33V/m

  B．把一带电荷量为0.1C的正点电荷从d点移动到矩形中心处的过程中，电场力做的功为0.03J

  C．矩形abcd电势最高的点的电势为1V

  D．矩形abcd上电势最低的点的电势为0.1V
  组卷：249引用：2难度：0.5

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• 4．在X星球表面，宇航员做了一个实验：如图甲所示，轻杆一端固定在0点，另一端固定一小球，现让小球在竖直平面内做半径为R的圆周运动。小球运动到最高点时，受到的弹力为F，速度大小为v,其F-v²图象如图乙所示。已知X星球的半径为Ro,万有引力常量为G，不考虑星球自转。则下列说法正确的是（　　）

  A．X星球的第一宇宙速度v1= b

  B．X星球的密度ρ= 3 b 4 π G R 0

  C．X星球的质量M= a R b

  D．环绕X星球运行的离星球表面高度为Ro的卫星的周期T=2π 8 R R 0 b
  组卷：453引用：7难度：0.5

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二、多项选择题（本题共4小题，每小题全部选对的得6分，选对但选不全的得3分，有选错的得0分，共24分）

• 5．如图，两位同学同时在等高处抛出手中的篮球A、B，A以速度v₁斜向上抛出，B以速度v₂竖直向上抛出，当A到达最高点时恰与B相遇，不计空气阻力，A、B质量相等且均可视为质点，重力加速度为g,以下判断正确的是（　　）

  A．相遇时A的速度一定为零

  B．相遇时B的速度一定为零

  C．A从抛出到最高点的时间为 v 2 g

  D．从抛出到相遇A、B动量的变化量相同
  组卷：125引用：11难度：0.6

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二、非客观题（60分）

• 14．2021年6月我国芯片进口总额达到380亿美元，这是为了满足在智能手机、汽车、电脑、家用电器的巨大需求.物理气相沉积是在真空条件下，通过低压气体或等离子体，采用物理方法将气化的材料沉积到基体表面形成薄膜的技术.该技术是芯片制作的关键环节之一，如图是该设备的平面结构简图.初速度不计的氩离子经电压U₀的电场加速后，从A点以大小为v₀=10⁵m/s的速度水平向右进入竖直向下的匀强电场E，恰好打到电场、磁场的竖直分界线Ⅰ最下方M点（未进入磁场）并被位于该处的金属靶材全部吸收，AM两点的高度差为0.5m。靶材溅射出的部分金属离子沿各个方向进入两匀强磁场区域，并沉积在固定基底上，基底与水平方向夹角为45°，大小相等、方向相反（均垂直纸面）的两磁场磁感应强度均为B，分界线Ⅱ过M点且与基底垂直。（已知U₀=

  25

  12

  ×

  10

  3

  V，E=

  5

  3

  ×

  10

  4

  V/m,B=1×10^-2T，金属离子比荷

  q

  2

  m

  2

  =

  2

  .

  0

  ×

  10

  6

  C/kg,两种离子均带正电，忽略重力及离子间相互作用力）求：
  （1）氩离子的比荷

  q

  1

  m

  1

  ；
  （2）AM两点的水平距离；
  （3）若金属离子进入磁场的速度大小均为1.0×10⁴m/s,M点到基底的距离为

  2

  4

  m,求在纸面内，基底上可被金属离子打中而镀膜的区域长度。（计算结果保留根式）
  组卷：89引用：1难度：0.4

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• 15．如图所示，放在水平面上的光滑金属导轨由间距不同的左右两半组成，右半边导轨间距为D，左半边导轨间距为2D；两半分别向两边延伸足够长；两半中间导通，并接入一个电容为C的电容器，如图所示（俯视图）；电容器已充电至电压为U₀，上极板带正电；左半边导轨区域有竖直向上的磁场，右半边导轨区域有竖直向下的磁场，磁感应强度大小均恒为B，磁场区域范围足够大；两边导轨上各搭着一根完全相同的金属棒P和Q，质量均为m,垂直导轨放置，与导轨接触良好，速度均为0．闭合开关后，经过足够长时间，装置达到稳定。求：
  （1）稳定时左右两棒的速率之比；
  （2）全过程流过两棒的电荷量大小之比；
  （3）稳定后电容器两端的电压；
  （4）全过程电容器释放出的电能。
  组卷：157引用：1难度：0.4

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