2022-2023学年广东省广州市越秀区执信中学高二（下）期末物理试卷

一、单项选择题（本题共7小题，每小题4分，共28分．每小题只有一个选项符合题目要求．）

• 1．对于以下各图的说明，正确的是（　　）
  

  A．甲图为油膜法估算分子直径的实验图，为了减小误差，实验中应使用纯油酸

  B．乙图为模拟气体压强产生机理实验图，说明气体压强是由气体分子对器壁频繁碰撞产生的

  C．丙图是把毛细管插入水银中的实验现象，说明水银对玻璃是浸润液体

  D．图丁为立体电影的图片，其原理和照相机镜头表面涂上增透膜的原理是相同的
  组卷：91引用：2难度：0.6

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• 2．下列四幅图涉及到不同的物理知识，其中说法正确的是（　　）
  

  A．图1是电子衍射实验，电子的衍射说明了电子具有粒子性，说明物质波理论是正确的

  B．图2是α粒子散射实验示意图，由α粒子散射实验可估算原子核半径的数量级

  C．图3是研究某种金属的光电效应规律所得相关图像，由图可知，入射光2的频率大于入射光1的频率

  D．图4放射源能放出α、β、γ三种射线，两块平行放置的金属板A、B分别与电源的两极连接。到达B板的射线电离本领最强，可以用于治疗肿瘤
  组卷：97引用：2难度：0.5

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• 3．下列说法正确的是（　　）

  A．研制核武器的钚239（ 239 94 Pu）是由铀239（ 239 92 U）经过2次β衰变而产生

  B．太阳辐射能量的主要来源是太阳中发生的重核裂变

  C．20g的 235 92 U经过两个半衰期后，质量变为15g

  D． 238 92 U在中子轰击下，生成Sr和Xe的核反应前后，原子核的核子总数减少
  组卷：106引用：4难度：0.5

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• 4．如图所示，房顶上固定一根长2m的细线沿竖直墙壁垂到窗沿下，细线下端系了一个小球（可视为质点）。打开窗子，让小球在垂直于窗子的竖直平面内小幅度摆动，A点是小球摆动的最左端，B点是小球摆动的最右端，O点是小球摆动的平衡位置。不计空气阻力，小球从A点到O点所用的最短时间为t_AO，小球从B点到所O点所用的最短时间为t_BO，

  t

  AO

  =

  1

  2

  t

  BO

  ，窗上沿到房顶的高度为（　　）

  A．1.6m

  B．1.5m

  C．1.2m

  D．1.4m
  组卷：166引用：2难度：0.7

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• 5．为营造公平公正的高考环境，“反作弊”工具金属探测仪被广为使用。某兴趣小组设计了一款金属探测仪，如图所示，探测仪内部的线圈与电容器构成LC振荡电路，当探测仪检测到金属物体时，探测仪的蜂鸣器发出声响。已知某时刻，探测仪中电路里的电流的方向由b流向a,且电流强度正在增加过程中，则（　　）

  A．该时刻电容器上极板带正电荷

  B．探测仪靠近金属时，金属被磁化

  C．该时刻线圈的自感电动势正在增大

  D．若探测仪与金属保持相对静止，则金属中不会产生感应电流
  组卷：50引用：2难度：0.6

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四、计算题（3小题，共39分．解答应写出必要的文字说明．方程式和重要的演算步骤．只写出最后答案的不能得分．有数值计算的题，答案中必须明确写出数值和单位．）

• 14．如图，间距为L的两平行金属导轨右端接有电阻R，固定在离地高为H的平面上，空间存在着方向竖直向下、磁感应强度大小为B的匀强磁场。质量为m的金属杆ab垂直导轨放置，杆获得一个大小为v₀的水平初速度后向左运动并离开导轨，其落地点距导轨左端的水平距离为s。已知重力加速度为g,忽略一切摩擦，杆和导轨电阻不计。求：
  （1）杆即将离开轨道时的加速度大小a；
  （2）杆穿过匀强磁场的过程中，克服安培力做的功W，以及流过电阻的电荷量q。
  组卷：59引用：2难度：0.5

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• 15．在芯片制造过程中，离子注入是其中一道重要的工序．如图所示是一部分离子注入工作原理示意图，离子经加速后沿水平方向进入速度选择器，选择出一定速度的离子，然后通过磁分析器Ⅰ，选择出特定比荷的离子，经偏转系统Ⅱ后注入水平放置的硅片上．速度选择器、磁分析器中的匀强磁场的磁感应强度大小均为B，方向均垂直纸面向外；速度选择器中的匀强电场场强大小为E，方向竖直向上．磁分析器截面是矩形，矩形长为2L，宽为

  （

  4

  -

  2

  3

  ）

  L

  ．其宽和长中心位置C和D处各有一个小孔；半径为L的圆形偏转系统Ⅱ内存在垂直纸面向外，磁感应强度大小可调的匀强磁场，D、M、N在一条竖直线上，DM为圆形偏转系统的直径，最低点M到硅片的距离MN=

  L

  2

  ，不计离子重力。
  
  （1）求离子通过速度选择器后的速度大小；
  （2）求磁分析器选择出来的离子的比荷；
  （3）若偏转系统磁感应强度大小的取值范围

  2

  3

  3

  B

  ≤

  B

  偏

  ≤

  3

  B，求硅片上离子注入的宽度．
  组卷：426引用：5难度：0.2

  解析