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2021年四川省遂宁市射洪中学高考化学模拟试卷(六)

发布:2024/10/28 12:30:2

一、选择题:本题共7小题,每小题6分。在每小题给出的四个选项中,第1~7题只有一项符合题目要求。全部选对的得6分,选对但不全的得3分,有选错或不答的得0分。

  • 1.化学与生活密切相关,下列说法错误的是(  )

    组卷:96引用:2难度:0.8
  • 2.NA代表阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是(  )

    组卷:66引用:3难度:0.8
  • 3.下列对有机物的描述正确的是(  )

    组卷:101引用:2难度:0.7
  • 4.短周期元素X、Y、Z、W原子序数依次增加,其中只有Z为金属元素,X、W为同一主族元素,X元素原子的L层电子是K层的两倍;点燃条件下,Z的单质在 X与Y形成的最高价化合物甲中能发生反应生成化合物乙和X的单质。下列判断错误的是(  )

    组卷:41引用:2难度:0.6

(二)选考题:共15分。请考生从2道化学题中任选一题作答。如果多做,则按所做的第一题计分。【化学一选修3:物质结构与性质】

  • 11.第三代半导体材料氮化镓(GaN)适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件,通常称为高温半导体材料。回答下列问题:
    (1)基态Ga原子价层电子的轨道表达式为
     
    ,第一电离能介于N和B之间的第二周期元素有
     
    种。
    (2)HCN分子中σ键与π键的数目之比为
     
    ,其中σ键的对称方式为
     
    。与CN-互为等电子体的分子为
     

    (3)NaN3是汽车安全气囊中的主要化学成分,其中阴离子中心原子的杂化轨道类型为
     
    。NF3的空间构型为
     

    (4)GaN、GaP、GaAs都是很好的半导体材料,晶体类型与晶体硅类似,熔点如下表所示,分析其变化原因
     

    GaN GaP GaAs
    熔点 1700℃ 1480℃ 1238℃
    (5)GaN晶胞结构如下图所示。已知六棱柱底边边长为a cm,阿伏加德罗常数的值为NA
    ①晶胞中Ga原子采用六方最密堆积方式,每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数目为
     

    ②GaN的密度为
     
    g•cm-3(用a、NA表示)。

    组卷:90引用:3难度:0.3

【化学一选修5:有机化学基础】

  • 12.某化合物H的合成路线如下:

    已知CH≡CH在NaNH2液氨条件下可生成CH≡CNa或NaC≡CNa
    (1)A的化学名称是
     
    ,B→C的反应类型是
     

    (2)D→E的反应试剂、条件是
     
    ,F中不含氧官能团名称是
     

    (3)H的分子式是
     

    (4)F→G的化学方程式是
     

    (5)W是E的同系物,比E少一个碳原子,则符合下列条件的W的同分异构体的结构简式是
     
    (写一种)
    ①有两种官能团
    ②遇FeCl3溶液显紫色
    ③核磁共振氢谱有五组峰,峰面积之比是3:2:2:2:1
    (6)依据上述题目信息,写出用乙醛和乙炔为原料,制备化合物的合成路线(无机试剂任选)。

    组卷:19引用:2难度:0.5
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